摘要：给出了改进的电容式开关等效电路模型以及基于该电路模型的一种新型的多频段工作的电容式RFMEMS开关的设计和制作研究。分析表明，当开关的上电极为多支撑梁结构时，需要对传统的开关等效电路加以改进。利用新型等效电路模型进行模拟发现，通过适当的参数选择，可以获得多谐振点开关。不仅可以在多个频段适用，并且可以适用于较低频段。设计了一种可工作在X波段下的三谐振点电容式RFMEMS开关，并在高阻硅衬底上采用表面微加工工艺制备了开关样品。三谐振点开关的在片测试结果为：驱动电压为7V，“开”态的插入损耗为0．69dB@10．4GHz，“关”态的隔离度为30．8dB@10．4GHz，其微波性能在0～13．5GHz频段下优于类似结构的传统单谐振点开关。

摘要：以毫米波段MEMS移相器为研究对象，提出一种直接面向设计参数的建模方法。该方法直接选取分布式RFMEMS移相器的关键设计参数作为建模目标，通过HFSS仿真获得人工神经网络建模的样本数据，并使用三种神经网络对移相器的S参数及设计参数进行建模。实验结果表明，与HFSS仿真数据相比，面向设计参数直接建模的方法对于移相器中心频率f0、10dB带宽B和插入损耗最小值（33-37GHz）建模误差绝对值均值分别在0．094～0．171GHz、0．085-0．159GHz和0．040-0．048dB之间。相比于基于S参数间接建模方法的准确率均至少提高了50％。

摘要：提出了一种椭圆低通可调滤波器的调谐方法,即通过调节第一传输零点(FTZ)来改变3dB截止频率Tc。解析计算表明,小范围内改变FTZ既可调节Tc和滚降速率,又能保证通带和阻带的特性基本不变。作者提出FTZ的移动可由串联谐振支路处容性MEMS开关的分布加载来实现,并基于微扰法求出器件中心谐振频率及特性的变化规律。本文相应设计了Tc为16GHz的7阶步进式滤波器。高频有限元全波仿真表明,每加载一个MEMS开关,Tc改变约1.5GHz,损耗特性则几乎不变。这证明了理论分析方法有较高的准确性,而且器件设计具有数字化调节能力和较出色的微波性能。这种方法也可用于高通和带通滤波器。论文还介绍了器件的体硅微加工流程及MEMS开关的初步加工结果。

摘要：设计了一种基于横向金属接触的DC-5 GHz单刀双掷RF MEMS开关,该开关包括一套有限地共面波导(FGCPW)传输线和左右摆动的悬臂梁。利用绝缘的介质层实现了驱动信号与射频信号的隔离,提高了开关的性能。根据开关的拓扑结构,提出相应的等效电路,并据此实现开关射频性能的优化设计。开关利用MetalMUMPs工艺实现,测试结果显示,该开关在5GHz的插入损耗为0.8dB,回波损耗大于20dB,隔离度为40dB。测得开关的开启电压为59V。

摘要：传统电子移相器由于损耗问题难以向更高频率发展,射频微机电系统(RF MEMS)技术的出现使其得以替代半导体开关来设计更高频率的移相器.利用具有优异RF性能的串联电阻式RFMEMS开关来进行开关线式移相器设计,通过开关切换不同的信号延迟通路,以实现从0°-180°步进22.5°的相移功能.仿真结果表明,该移相器在5.8 GHz时,插入损耗在-0.3--0.7 dB变化,输入回损低于-20 dB,相移功能正确.

摘要：应用计算机辅助设计了一种基于共面波导结构的MEMS带阻滤波器。研究了微尺度电磁学、力学、温度等效应。利用ANSOF的HFSS软件模拟分析了滤波器的损耗参数,并应用ANSYS软件分析复合结构的热应力分布,得出了阻带中心频率在18GHz的MEMS带阻滤波器件,提供了一些有意义的理论分析及应用。

摘要：为了解决传统开关可控通道较少、尺寸较大、插入损耗较高等问题,以射频微机电系统(MEMS)单刀单掷开关为基础,设计了“星”型的射频MEMS四刀四掷开关,可控制多通道信号导通与断开。采用HFSS仿真软件,对设计的器件的插入损耗、隔离度及驻波比等关键参数进行优化。结果表明:当工作频段为DC~26.5 GHz时,射频MEMS四刀四掷开关插损优于1.19 dB@26.5 GHz,隔离度优于31.75 dB@26.5 GHz,驻波比小于1.7,整体尺寸为1.2 mm×2.174 mm×0.51 mm。本文设计的四刀四掷开关具有低插损、小体积、多通道可调等的优点,可与功分器、移相器、延时器、天线等单片集成,用于通信、雷达、导航及微波测试仪器等系统中,实现多通道信号分配、移相、延时及可重构的功能。

摘要：为了获得高性能MEMS螺线管微电感,考虑了几何结构参数对微电感性能的影响,用HFSS软件对特定结构的微电感进行仿真,仿真结果与实验研制的测量结果基本相符.测试结果表明微电感在较宽的工作频率范围内具有高Q值,可以应用在无线通讯领域.

摘要：针对卫星通信、6G通信、物联网技术等射频前端系统对电子元器件高频工作性能的需求,设计了一种工作在W波段的直板型电容式射频(RF)单刀双掷开关。通过优化介电层材料和开关电极之间的空气间隙,降低了插入损耗、提高了隔离度等射频性能指标。利用HFSS电磁仿真软件对开关性能进行了数值模拟计算,仿真结果表明:所设计射频单刀双掷MEMS开关在80~100 GHz范围内,其插入损耗小于1.7 dB,隔离度大于40 dB,开关整体尺寸约为1.6 mm×1.6 mm。此开关能够满足射频系统前端对高频电子元器件的性能需求,在微波测试仪器、新一代通信系统中具有一定的应用价值。

摘要：介绍了基于梳状、梁式、圆盘三种结构的射频微机电系统(RF-MEMS)谐振器及滤波器,并对RF-MEMS谐振器及滤波器的结构与性能参数进行讨论;分析RF-MEMS谐振器及滤波器设计和制造中的有关问题及其处理方法;RF-MEMS谐振器及滤波器性能优异,能与其他器件实现片上集成,且与集成电路工艺兼容,在射频无线通信系统中的应用有着良好前景。