摘要：针对宽带大信号容量无线系统对低三阶交调失真射频放大器的迫切需求,从放大器偏置点优化和片上散热优化两个方面研究了基于HBT工艺的低三阶交调失真射频放大器优化设计方法。分析了达林顿复合结构射频放大器交调特性与直流偏置点的关系,给出了放大器最佳三阶交调直流偏置点。提出了一种优化散热的输出级分散布局电路结构,减小了片上温升带来的三阶交调性能恶化。应用提出的优化设计理论方法,基于2μm AlGaAs/GaAs HBT工艺,设计了一款工作于0.05~1 GHz的低三阶交调失真射频放大器。测试结果表明,该放大器实现了42.1 dBm的输出三阶交调点,三阶交调与1 dB压缩点之比达到了21.2 dB。

摘要：介绍了一款满足于5G通信发展要求,工作频率高增益,高线性度,高三阶交调点的射频放大器的设计。采用砷化镓异质结晶体管(GaAs HBT)工艺,基于达林顿结构进行设计。在原有结构基础上,添加了偏置结构,一方面提高了放大器工作状态的线性度,提高了三阶交调点指标;另一方面保证晶体管工作电流在-55℃,125℃工作状态下保持稳定。放大器能够工作在10 MHz~4 GHz,输出三阶交调点达到40 dBm,线性度高,适用于5G通信信号处理系统。

摘要：分析了史密斯圆图与射频放大器的基本理论,研究了将史密斯圆图应用于射频放大器电路的设计.着重对提高电路稳定度和线性度、降低噪声系数和改善输入输出特性进行了分析研究.通过实例分析可得该放大器的增益为20 dB,噪声系数最小为2 dB,电压驻波比为1.7∶1.仿真结果表明该放大器的设计方法具有良好的可行性和实用性.

摘要：采用六级VMMK-2503高线性度增益方块级联,插入增益均衡与带通滤波模块,设计了一款小型化线性射频放大器,在5.8～8 GHz频带内,其小信号增益达70 dB,增益平坦度小于±1 dB,输入输出驻波比等技术指标优良。由于VMMK-2503采用晶片级封装技术与内匹配设计,电路设计简单,缩短了研发周期,降低了设计成本,提高了技术指标,有利于射频电路的小型化与集成化,放大器电路尺寸仅为92 mm×9 mm×1.2 mm。并对其进行了模块电磁兼容设计,以提高组件稳定性,最终满足用户要求,已成功用于某型号瞬时测频接收机中。

摘要：基于2μm InGaP/GaAs HBT(磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管)工艺设计了一款单片微波集成电路射频放大器芯片。针对达林顿结构射频放大器线性度低的问题,通过设计自适应线性化偏置电路,提高了线性度,降低了功耗,同时增大放大管的尺寸,提高了电路的总输出功率。仿真结果表明,在带内最大增益达到20 dB,增益平坦度为±1.2 dB,放大器的OIP3为34.5 dBm,射频放大器的P-1dB为15 dBm,输入回波损耗为11.3 dB,输出回波损耗为11.5 dB,版图的尺寸为0.4 mm×0.55 mm。

摘要：首先对放大器设计中的相关基础理论作简单介绍,然后结合射频电路理论和ADS仿真软件设计一个工作在1.5GHz的射频放大器,接着对该放大器的稳定性、S参数、功率增益、驻波比、噪声等因素进行仿真并优化,最终达到性能指标要求。结果证明,利用ADS设计放大器具有简易、高效等特点,有着很重要的实用价值。

摘要：该系统是由宽带放大器OPA842、可变增益放大器VCA824以及电流型运放THS3202组合而成的增益可控射频放大器,可实现12d B^40d B增益步进可调。系统由三级构成。OPA842实现两倍固定增益放大构成前级放大器,对输入信号做放大处理。中间级电压增益控制和增益步长控制电路由VCA824通过DA模块实现。末级由THS3202实现功率放大输出。该系统使用同轴线输入信号,最大限度地降低外部干扰。经测试,整个系统性能稳定,控制效果好。

摘要：瑞萨电子集团近日宣布进一步扩展其强大的射频放大器产品线,推出新产品F1490,可提供远低于竞品的静态电流(75mA)。F1490作为第二代高增益2级射频放大器,涵盖从1.8GHz到5.0GHz的关键sub-6GHz 5G频段。F1490为设计人员简化发射链路的器件选型、消除增益模块并保持增益余量,同时提供两种可选的增益模式,从而为系统设计带来更高灵活性、更低功耗和更强大性能。

摘要：本设计为增益可调放大器,由电源模块,增益控制模块,放大模块,键盘以及显示模块组成。具有放大倍数可调的程控功能。在前级放大中,采用电压反馈型放大器用OPA690构成同相放大电路,输出放大一定倍数的电压,经第二级采用编程可控范围较大的放大芯片VCA824,可以手动和程控。

摘要：本文介绍了一种适用于北斗导航接收机的CMOS宽带射频放大器,带宽设计在1.1-1.7GHz。放大器采用三级放大结构,第一级采用源极电感负反馈结构,在输入端加入了宽带匹配网络来扩展带宽;第二级提供增益同时实现单端转差分;第三级采用共源放大器。在放大器的最后加入了源级跟随器,保证输出阻抗为50Ohm,便于输出测试。采用TSMC 55nm CMOS工艺,电路已经流片验证,测试结果表明,噪声系数为4.2d B,S21大于40d B,S11小于-10d B,2.5V电源供电下功耗为30m W。