摘要：根据微带线的基本理论,利用高频结构仿真软件HFSS,考虑到微带电路结构参数的影响,对微带线的信号传输系数及相位延迟进行了详细的分析。分析了RFID阅读器射频电路单元中四通道解调技术。设计制作了工作频率为915 MHz、应用于RFID阅读器的射频移相电路,电路的性能指标符合设计的要求。

摘要：介绍一种使用相控阵天线的超高频射频识别(UHF RFID)阅读器发射机的设计方案,并设计了适用于此发射机的信号源.该信号源采用STM32F407作为主控芯片,根据波束形成算法,应用直接数字频率合成技术,能够产生满足阅读器要求的信号.实际测试结果显示:此信号源的每路输出在1 GHz频率范围内的杂散抑制为-50dBc,频偏100kHz处的相位噪声为-100.6 dBc/Hz,能够输出调制深度为90%的ASK调制信号.输出滤波器100MHz带宽内的衰减小于-3 dB,在300 MHz以上频率范围内的衰减大于-40 dB.该信号源能够完全适用于相控阵天线UHF RFID阅读器,对于提高UHF RFID阅读器的读写距离及RFID技术的广泛应用具有参考价值.

摘要：基于IBM0.18μm标准CMOS工艺,设计了一种并行放大求和结构对数放大器(parallel-amplification parallel-summation logarithmic amplifier:PPLA)。该结构克服了连续检波式对数放大器(SDLA)延时长、易自激的缺点,在实现大动态范围的同时,无需反馈环路来稳定。该放大器应用于射频识别阅读器的ASK解调电路中,将大动态范围的输入信号压缩到接收机可以接收的范围。整个并行放大求和对数放大器获得70dB的动态范围、1MHz带宽、19mW功耗。

摘要：设计了一种用于900MHz RFID阅读器的零中频正交下变频混频器,该混频器采用共跨导级正交结构,并利用电流注入技术减小噪声,在UMC0.18μmCMOS工艺下实现。整个芯片分为三部分,混频器、带隙基准以及缓冲器,总面积为1.1mm2。混频器在1.8V电压下消耗电流3.7mA,带宽范围880～940MHz,增益16.42dB,三阶截点为-4.625dBm,在100kHz处噪声系数为15.2dB。芯片能够达到阅读器的性能要求。

摘要：为了满足市场需求,提高阅读器读写效率,提出一种基于ISO18000-6C协议标准的RFID阅读器设计方案。该阅读器基带处理部分采用ARM+FPGA组合实现,利用FPGA编解码速度快的特点并结合ARM的控制优势,使得该阅读器具有识别速度快、识别率高的特点;阅读器的射频发射电路采用两级功率放大,具备能很好地抑制噪声、保持很好的线性度、辐射功率满足要求、识别距离远的特点;阅读器的接收回路采用四路解调,可以很好地解决接收"模糊点"。