摘要：基于微波移频方法的硅材料少子寿命测量系统,使用采样电路与脉冲计数器结合的方式测量反射微波衰减信号,避免了用示波器观测衰减曲线时易受背景噪声的影响,并使测量装置的结构更加紧凑与轻便。分析了各个状态下反射微波的波形,设计了对反射微波进行信号采样比较及时钟计时的电路。实验结果表明:实验结果与示波器观测衰减曲线的结果吻合,改进方法具有可行性。

摘要：少子寿命是半导体材料的一个重要参数,对其电学特性及其晶体质量有重要影响。利用微波反射光电导技术(μ—PCD)作为非接触、非破坏性测量半导体特性的一种工具,结合虚拟仪器技术,利用Labview设计开发了一套虚拟仪器系统,是一种测试少子寿命的快速、有效的方法,并且具有较强的可维护性和可操作性,适合实验室和工业在线检测使用,对研究半导体材料性能具有重要意义。

摘要：采用微波反射光电导衰减法设计了测试少子寿命的演示实验装置.实验装置主要由脉冲激光源、微波发射接收和数据采集处理系统等部分组成.该实验可以直观地演示非平衡载流子随时间的衰减过程,定量给出少子寿命、扩散系数和扩散长度.

摘要：本文基于差值取样谱定理，提出一种用于同时确定少子寿命及表面产生速度的新方法———瞬态电容弛豫谱方法，该方法利用谱的峰值位置和高度能同时、准确、唯一地得到少子寿命及表面产生速度．同时将该方法与Ｚｅｒｂｓｔ方法得到的结果进行了对比．

摘要：本文采用光伏方法测量掺金硅的少子寿命，掺金浓度为１０^（１２）～６．６２×１０^（１５）ｃｍ^（－３），４个数量级；根据对两类不同电阻率的Ｎ型掺金硅少子寿命系统的测量和统计计算，提出了对硅中金性质的看法。统计计算及简并因子和金施主与金受主的相关性，实验和计算结果都表明，高浓度金掺杂可以改变Ｎ型高阻硅的导电类型。

摘要：近年来,锑化物Ⅱ类超晶格材料在外延生长和发光性质等方面的研究取得了巨大的进步,为获得高性能中红外波段光电子器件奠定了重要的基础。然而,由于传统的InAs/GaSb体系超晶格材料中内部本征Ga原子缺陷的存在,使得InAs/GaSb材料的少子寿命过短,严重影响了光电子器件性能的提升,因此设计并生长具有长少子寿命的新材料体系超晶格材料具有重要的研究意义。本文对现阶段锑化物Ⅱ类超晶格材料的各类材料体系进行了总结和分析,着重强调了各类材料体系的外延生长条件、结构及光学特性等方面的研究进展,并对锑化物Ⅱ类超晶格材料今后的发展进行了展望。

摘要：研究了12.5μm长波HgCdTe探测器的吸收层厚度和异质结界面电荷对器件光响应率的影响.分析了吸收层厚度与吸收长度、扩散长度之间的联系,获得了设计最佳吸收层厚度的经验公式.研究结果显示入射光波长超过截止波长时,响应率随吸收层厚度增加单调增加,并逐渐饱和.响应率峰值对应的波长随吸收层厚度增加,有向长波偏移的趋势.最佳吸收层厚度值随少子寿命或入射光波长的增大而增大.同时,研究了衬底、钝化层与HgCdTe材料之间异质界面电荷对光响应率的影响,发现正的界面电荷在衬底异质结界面处形成诱导pn结,对响应率影响显著.采用金属-氧化物-半导体二极管模型,分析了其中的内在物理机理,并获得了降低其影响的优化方案.

摘要：介绍了一种LiNbO3抽头延迟线外接p+n二极管阵列结构的声表面波存储相关卷积器。器件的中心频率为30 MHz,卷积效率为-54 dBm,存储相关效率为-76 dBm,信号存储时间大于70 ms。讨论了二极管阵列少子寿命与存储时间的关系,计算了相关输出与参考信号和读信号的关系,结果表明这种结构的器件是双线性的。对这种结构器件的设计及优化提出了建议。

摘要：针对多晶PERC电池严重的光致衰减问题,研究不同退火方式对多晶PERC太阳电池光诱导衰减效应的影响,通过设计不同退火条件,对退火后的寿命片和电池片光电性能进行系统表征,发现不同退火条件对多晶寿命片和电池片的光衰有较大影响。通过研究对比确定最佳工艺,可较大程度地抑制多晶PERC太阳电池的光衰效应,同时又不影响电池片的转换效率,为探究抑制多晶PERC太阳电池光衰提供了方法和思路。

摘要：基于高频光电导衰减法半导体少数载流子寿命测量基本原理,设计了半导体少子寿命测量系统,并在二极管检波电路的基础上,对信号处理系统进行了改进。该信号处理系统采用反馈式检波电路,相比于传统二极管检波电路,运用运算放大器的反馈原理减小了检波二极管压降产生的误差,同时结合二极管嵌位作用,减小了运算放大器压摆率带来的影响,提高了测量系统的检波能力。通过实验,验证了该检波电路的可行性,测试结果表明,有效提升了测量系统的准确性。