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局部背接触结构单晶Si太阳电池的研究: 收藏
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引用; 《光电子．激光》2007年第2期18卷 184-186页; 作者：励旭东何少琪北京市太阳能研究所北京100083; 报道了采用局部背接触结构的激光刻槽埋栅太阳电池的研究结果。模拟分析了局部背接触结构的作用,设计了合理的电池结构。通过工艺优化,得到了转换效率达到17.28%(大气质量AM=1.5G,VOC=650.4mV,JSC=33.15mA/cm2,FF=0.8014,电池面积为4cm2...; 报道了采用局部背接触结构的激光刻槽埋栅太阳电池的研究结果。模拟分析了局部背接触结构的作用,设计了合理的电池结构。通过工艺优化,得到了转换效率达到17.28%(大气质量AM=1.5G,VOC=650.4mV,JSC=33.15mA/cm2,FF=0.8014,电池面积为4cm2)的太阳电池。; 来源：详细信息评论

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