摘要：意法半导体的先进的V系列600V沟栅式场截止型(trench-gate field-stop)IGBT具有平顺、无拖尾电流的关机特性,饱和电压更是低达1.8 V,最大工作结温高达175℃,这些优点将有助于开发人员提高系统能效和开关频率,并简化散热设计和电磁干扰(EMI)设计。

摘要：绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块功耗持续增加,对风冷散热提出了更高要求。以某大型冷水机组变频器为研究对象,结合仿真模拟和试验测试,提出IGBT散热器优化方案:一是将散热器翅片间距从3.0 mm减小到2.5 mm,增大换热面积;二是给每个IGBT模块增加2根热管,突破肋效率带来的瓶颈问题。优化后进行验证,IGBT的工作结温从149.9℃降到127.2℃,达到了IGBT最高工作结温控制在130℃以内的设计要求;同时对热管相容性和寿命进行评估,表明热管工作介质不会对管壳材料造成腐蚀或者溶解,热管寿命可达到21万3414小时,能够保证变频器和IGBT模块的长期可靠运行。

摘要：意法半导体公司(STMicroelectronics)开发混合发射极开关双极晶体管(ESBT),这个被称作STE50DE100的新器件可用于焊接设备、感应加热系统和音频放大器的功率因数校正应用。STE50D100的集电极-发射极能经受1000 V的高压,集电极电流高达50 A,这个四端子器件采用工业专用螺钉组装的TSOTOP封装。在设计上,新器件集中了双极晶体管和MOSFET管的优点,并且屏弃了它们的缺点。STE50DE100通过整合优点,消除缺点,把导通损耗降低到与双极晶体管相同的水平,同时在150

摘要：凌力尔特公司（Linear Technology Corporation）推出最新高可靠性和军用温度级版本LTC4412,该器件是一款坚固的＂理想二极管＂电源通路（Power Path？）控制器。LTC4412可实现多个输入DC电源的低损耗＂合路＂操作。其20 mV的正向电压至少比肖特基二极管低10倍。