摘要：反应腔室晶片表面温度分布是影响薄膜沉积均匀性的重要因素。本文以载有晶片的典型化学气相沉积反应腔室为研究对象,考虑了晶片与加热盘之间的微小间隙导致的低压下流固接触面的温度跳跃现象,建立了腔室温度仿真模型。通过模型和实验研究了腔室气压和气体流量对晶片表面温度分布的影响,并研究了温度分布轮廓的调节方法及传热结构设计。研究结果表明,晶圆表面平均温度随气压的增加而增加,随气体流量的增加而降低,晶片从中心到边缘温度分布轮廓存在下降的趋势。通过在加热盘和晶片之间加入阻抗介质,可以有效调节晶片表面温度分布轮廓。本文最后通过仿真手段,得到了能使晶片表面温度均匀分布的阻抗介质表面形状。本文的研究结果对指导腔室结构设计和工艺控制具有重要意义。

摘要：为研究感应耦合等离子体(ICP)刻蚀机工艺腔室结构对流场特性的影响,采用回归正交设计方法对腔室半径、腔室高度、进气口半径以及进气流量4个设计参数进行试验设计,利用商业软件CFD-ACE+建立ICP刻蚀机工艺腔室二维流场仿真模型.定义了静电卡盘上方气压分布均匀性评价函数,通过对试验结果的回归分析,确定了关键参数对气压分布均匀性影响程度的定量关系,并由此建立了拟合度较高的二次回归方程.结果表明腔室高度为最显著影响因素.经过验证可见,回归方程的计算结果与仿真分析结果保持了较高的一致性,可以为结构与工艺条件相近的刻蚀机、化学气相沉积(CVD)设备以及氧化/扩散系统的结构研究与设计提供参考.

摘要：青岛赛瑞达电子装备股份有限公司自主研发的立式合成炉适用于碳纳米材料及其他合成材料的制备,具有产量高、稳定性好、操作简单等优点。文章介绍了合成炉的组成部分以及主要组成部分在设计中存在的难点和解决方法。