摘要：集成电路设计复杂性的增长以及工艺尺寸的持续缩减给静态时序分析以及设计周期带来了新的严峻挑战。为了提升静态时序分析效率、缩短设计周期,充分考虑FinFET工艺特性以及静态时序分析原理,提出了未知工艺角下时序违反的机器学习预测方法,实现了基于部分工艺角的时序特性来预测另外一部分工艺角的时序特性的目标。基于某工业设计进行实验,结果表明,提出的方法利用5个工艺角时序预测另外31个工艺角时序,可达到小于2 ps的平均绝对误差,远远优于传统方法所需的21个工艺角,显著改善了预测精度和减少了静态时序分析工作量。

摘要：电源电压、工艺偏差和温度变化(PVT)对电阻、电容、晶体管、MOS管等的参数和特性都会产生一定的影响,从而影响电路的性能。从满足工艺角覆盖率的角度出发,进行模拟运算放大器的设计,首先采用对称型运算跨导放大器的形式,提高了匹配,提供了更好的失调和CMRR特性;同时采用共集共射输入,提高了输入电阻。其中共射管采用射极负反馈结构增大了线性输入范围,提高转换速率。仿真结果表明,所设计的运算放大器可满足工艺角覆盖率的要求。

摘要：研究了在特定工艺条件下进行高速低功耗集成电路设计的相关问题,包括结构设计、电路设计和工艺角的影响。提出用CMOS逻辑电路完成超高速电路设计的思想,利用CSM 0.35μm CMOS工艺设计完成了速率为3.125Gb/s的4:1复接器芯片。该系统采用树型结构,由两个并行的低速2:1复接单元和一个高速2:1复接单元级联而成。核心电路锁存器在低速单元中用带有电平恢复的4_T电路构成,在高速单元中用动态传输门构成;选择器则用CMOS传输门构成的双路开关实现,每一电路都只用4只晶体管实现。芯片面积为0.39mm^2。芯片测试结果表明:在3.3V电源电压下,芯片核心功耗低于40mW,最高工作速率可达4Gb/s。

摘要：设计了一种用于户外装饰照明类LED驱动控制SOC的线性稳压器LDO,将LED灯使用的12 V^40 V电源电压转换为SOC内部LED显示信号接收电路和LED驱动控制电路使用的5 V电压,并提供正常30 mA、最高100 mA的驱动电流。该LDO的设计基于CSMC 0.5μm 40 V高压BCD工艺在所有工艺角、-55℃~150℃温度范围和12 V^40 V电源电压范围下进行了仿真。结果表明,LDO输出默认情况下电压精度为≤±2.5%,而通过数字控制位Trim对LDO的输出电压修正后,LDO输出电压精度可达≤±0.5%,该LDO在所有仿真条件下均可达到设计指标。

摘要：相对于现在流行的FLASH型存储器,新型阻变存储器(resistive-RAM,RRAM)有很多优势,比如较高的存储密度和较快的读写速度。而针对RRAM的读写操作特性,提出了一种适用于新型阻变存储器的提供操作电压的电路。该方案解决了新型存储器需要外部提供高于电源电压的操作电压的问题,使得阻变存储器能应用于嵌入式设备。同时,对工艺波动和温度波动进行补偿,从而降低了阻变存储器的读写操作在较差的工艺和温度环境下的失败概率,具有很强的实际应用意义。该设计采用0.13μm标准CMOS 6层金属工艺在中芯国际(SMIC)流片实现,测试结果表明,采用此电路的RRAM能正确地进行数据编程和擦除等操作,测试结果达到设计要求。

摘要：本文针对45nm及以下工艺节点中工艺角数目不断增多的情况,利用高斯过程模型GPM的贝叶斯回归方法实现了一种基于GPM的PVT电路快速仿真方法.该方法通过定义一组具有不同概率的备选函数族,在自适应算法下通过尽可能少的仿真次数优化输出变量的不确定度,快速找出电路设计的最坏情况,直至满足设计要求,从而解决了传统的多项式拟合建立PVT解析模型方法的精度问题,能够在保证仿真精度的同时缩短仿真时间,提高电路设计效率.

摘要：介绍了一种高速宽带锁相环的架构设计和基本原理。设计了双压控振荡器结构,使得锁相环输出时钟信号的频率范围达到6.0~12.5 GHz。基于锁相环的线性模型,从理论上分析了各单元电路的相位噪声对总体输出相位噪声的影响。基于65 nm CMOS工艺,根据各单元电路相位噪声的典型数据,对锁相环的输出相位噪声和等效时钟抖动等参数进行了仿真。结果表明,电荷泵、输入参考时钟、分频器、压控振荡器对整体输出噪声的贡献分别为35.8%、30.3%、18.3%、14.6%,环路滤波器对相位噪声贡献很小。锁相环的整体仿真结果显示,在各种工艺角下,锁相环的输出时钟信号频率均可达到12.5 GHz,高频输出相位噪声带来的时钟抖动均小于1 ps。

摘要：文章提出了一种用于大功率LED驱动芯片的宽输入电压范围降压稳压电路,由预降压电路、带隙基准电压电路和线性稳压电路组成,最高输入电压可达40V。采用CSMC 0.5μm BCD工艺模型进行仿真验证。仿真结果表明:在负载电流为5mA,输入电压为6～40V时,不同工艺角下带隙基准电压和稳压输出的平均值分别为1.206 4V和5.012 1V,最大变化量分别为0.9mV和12.3mV。输入电压为40V,负载电流为1～100mA时,输出电压变化量约为3.3mV。在低频下稳压电路的电源抑制比大于112dB。

摘要：设计了一种工作在亚阈值区的高精度、低电压、低功耗CMOS基准电路。电路采用0.18μm CMOS工艺实现,在1.2V电源电压下,输出202mV的基准电压,在-40℃~130℃范围内的温度系数为6.5×10-5/℃,消耗2.46μA电流。电源电压从1.1V变化到3.6V时,输出基准电压仅变化0.336mV。该基准电路的电源电压抑制比（PSRR）在直流处达到-93dB,10MHz处达到-63dB。设计了一种多路快速启动电路,只需13μs即可完成启动。利用高阈值电压晶体管与普通阈值电压晶体管的Vth之差作为负温度系数电压源,使输出基准电压对工艺角不敏感。

摘要：提出了一种具有工艺和温度自校正功能的环形振荡器。相较于传统的环形振荡器,该环形振荡器增加了温度校正模块和工艺校正模块。当工艺角变化为ss→tt→ff,工艺校正模块会相应地调整延迟单元的供电电压,校正由工艺角引起的振荡频率变化。当温度在-40℃~125℃范围内变化时,温度校正模块为延迟单元提供一个与温度无关的电流,以稳定振荡频率。该环形振荡器采用GF 0.18μm CMOS工艺进行设计,版图面积为(745×595)μm2。后仿真结果表明,当工艺角变化为ss→tt→ff,振荡频率的最大变化范围为1.27 MHz;当温度变化为-40℃~125℃,振荡频率的最大变化范围为0.199MHz。