摘要：为了解决含有SRAM产品转线时器件参数匹配的问题,首先对晶圆制造厂提供的SPICE模型,使用BSIMPROPLUS软件提取出SRAM单元中器件的阈值、饱和电流、漏电等参数,然后使用提取出的器件参数计算出SRAM单元在不同工艺角的翻转电压、功耗、读写裕度,比较得到最优工艺角。以0.13μm技术节点[1]单端口SRAM和双端口SRAM为例,计算了SRAM单元在不同工艺角下的翻转电压、功耗、读写裕度,得出SNFP工艺角为最优工艺条件,对于1.2 V电源电压,驱动管、负载管、传输管的阈值为0.33 V时SRAM单元的功耗和读写裕度最优。

摘要：带隙基准电压源在同一工艺的不同工艺角下,基准源的输出电压会有很大的变化.为了减少工艺角变化的影响,引入数字修调技术,对影响带隙输出基准电压的电阻阻值进行修调,以保证不同工艺角下的电压基准值可以通过修调调回理想值.基于华虹NEC 0.35μm BCD工艺的仿真结果表明,修调后的带隙基准源在-40℃-85℃范围内,各工艺角下基准电压的温度系数均小于6 ppm/℃.

摘要：电荷泵在集成电路中有着广泛的应用。本文基于传统电荷泵系统驱动能力对工艺角和电源电压敏感的局限性,提出一种新颖的通过控制电荷泵的时钟频率来反相补偿驱动能力的电荷泵系统,在不同工艺角和不同电源电压下其驱动能力都基本相同,具有较好的稳定性。本文最后给出了此种新型电荷泵系统在闪存芯片中的典型应用。