摘要：利用钴基非晶薄带环形磁芯的巨磁阻抗效应研制了新型非接触电流传感器。磁芯在2kA/m横向磁场作用下,用密度为25A/mm2短时矩形脉冲电流退火30s,通过CMOS多谐振荡电路产生的频率为900kHz窄脉冲电流激励,最大阻抗变化率为34%,磁场灵敏度约为45%/Oe。分析了传感器工作原理,设计了传感器电路,通过参数的优化和电流负反馈设计提高了传感器的分辨率、线性度、灵敏度和测量范围。设定测量范围为-2.5^+2.5A时,传感器测量精度为0.45%,灵敏度为0.67V/A。

摘要：针对非晶材料巨磁阻抗效应,设计并实现了一种新型磁场测量传感器,根据非晶丝的双峰特性,分析传感器的工作原理,设计传感器的闭环负反馈结构,建立了传感器的数学模型.在此基础上,通过分析传感器的误差传递函数,提出一种比例积分控制规律,可有效地消除传感器的稳态误差,提高传感器的线性度.实验结果表明:在该控制器的作用下,传感器的线性度优于0.2%,灵敏度达到1.759V/Oe,所设计的传感器具有较好的性能指标.

摘要：利用短时矩形脉冲电流对近零磁致伸缩系数钴基非晶态合金带进行退火处理,得到约114%的巨磁阻抗变化率.同时利用CMOS多谐振荡电路产生窄脉冲电流序列对前面处理过的非晶带进行激励,制作成灵敏度高、稳定性好、功耗低的弱磁场传感器.对传感器的工作原理进行了分析,并设计了信号处理电路.该传感器可应用于对弱磁场的检测.

摘要：近零磁致伸缩系数的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶薄带卷制成环形磁芯,在2 kA/m横向磁场作用下,用密度为25 A/mm2的脉冲电流退火30 s后作为敏感元件,提出了一种利用巨磁阻抗效应制作的新型非接触弱电流传感器。磁芯采用高频脉冲电流励磁,信号处理电路由峰值检波、低通滤波及差动电路构成。分析了传感器的工作原理,对传感器信号处理电路进行了参数设计计算,对测量结果进行了分析。通过对电路参数的优化,提高了传感器的分辨力、线性度及灵敏度。

摘要：利用退火处理后的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶带作为敏感元件,研制出一种基于非晶带巨磁阻抗效应的磁场测量仪。设计了传感器的信号处理电路及测量仪的硬件电路,并给出实验结果。实验表明,该测量仪能够检测-260—+260A/m范围内的微弱磁场,可应用于地球磁场、环境磁场等微弱磁场检测领域。

摘要：利用Fe基合金薄带的巨磁阻抗效应和LC谐振回路特性,研制了一款新型巨磁阻抗磁敏传感器。文中介绍了Fe基合金薄带的巨磁阻抗特性、传感器的电路设计和实验数据分析。实验结果表明,该传感器具有重复性好(最大偏差为0.32%)、几乎无迟滞(最大偏差为0.19%)、线性度好(最大偏差为1.04%)且线性测量范围广(464.86～1488.52A/m)等优点,在磁场检测和位移测量领域具有广泛的应用前景。

摘要：为设计一种高分辨率高灵敏度的巨磁阻抗效应非晶丝微磁传感器,通过对非晶丝材料的热处理、非晶丝探头设计、电路设计和器件选型,研制出了分辨率可达2nT,灵敏度在1608mV/Gs的非晶丝磁传感器,实验结果说明改善非晶丝材料热处理方法和非晶丝探头设计,优化激励、检波和滤波电路和器件能够有效提高巨磁阻抗效应非晶丝微磁传感器的分辨率和灵敏度。

摘要：针对传统磁探测方法不能满足引信探测体积小,高灵敏度和低功耗等要求的问题,本文提出了基于非晶丝巨磁阻抗效应的微磁场探测系统,是设计励磁电流信号产生电路具备极低的静态功耗,引入负反馈闭环系统对非晶丝磁滞特性进行了抑制补偿,提高了传感器的性能;采用双放大单元组合方案实现高性能的信号处理电路,完成了整体系统的设计。所设计的微磁场探测系统具备了非晶丝巨磁阻抗效应的优势,测试表明,基于非晶丝巨磁阻抗效应设计实现的微磁场探测系统,具备良好微磁探测性能,可应用于近炸引信进行微磁场探测。

摘要：介绍ispLSI1032E的基本结构及其开发软件ispDesignEXPERT的应用。在此基础上,文中设计了基于ispLSI1032E巨磁阻抗效应所需要的稳定的激励源。全数字化设计,使得该系统控制方便灵活。

摘要：利用一定边界条件下的Maxwell方程和修正的Landau_Lifshitz_Gilbert方程,对磁性层/非磁性层/磁性层(M/C/M)三明治多层膜中出现的巨磁阻抗效应进行了理论分析.对于单轴横向磁各向异性三明治膜,在考虑了各向异性场的交变部分的基础上,得到了阻抗与频率、外磁场、各向异性场、电导率、厚度等因素之间的关系.着重讨论了,磁性层和非磁性层薄膜厚度的优化问题.当GMI效应达到峰值时,非磁性层在薄膜总厚度中所占的比例与各向异性场Ha的大小、薄膜的总厚度以及非磁性层与磁性层电导率σ1/σ2比值有关.为实验上设计三明治模型提供了一个数值参考.