T=题名(书名、题名),A=作者(责任者),K=主题词,P=出版物名称,PU=出版社名称,O=机构(作者单位、学位授予单位、专利申请人),L=中图分类号,C=学科分类号,U=全部字段,Y=年(出版发行年、学位年度、标准发布年)
AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
范例一:(K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 AND Y=1982-2016
范例二:P=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT K=Visual AND Y=2011-2016
摘要:设计了以Co基非晶丝为敏感元件的传感器探头,多谐振荡励磁电路,信号处理电路,单片机显示电路,且对该磁场测量仪进行了标定。
摘要:利用Fe4.3Co68.2Si12.5B15非晶丝的巨磁阻抗效应(giantmagneto-impedance GM I),设计制作出一种新型的磁敏传感器,以满足在信息、测量和控制设备快速发展过程中对磁敏传感器小型化、低价、高灵敏度、快速反应的要求。介绍了巨磁阻抗效应,非晶材料特性,传感器的电路设计和传感器性能测试。
摘要:利用540℃和17.8 MPa退火后的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶合金薄带具有宽平台和陡峻下降沿的巨磁阻抗特性研制了一款新型磁敏开关,并介绍了磁敏材料的GMI特性及磁敏开关的电路设计原理.实验结果表明:该磁敏开关的重复性好(2.06%),迟滞误差小(2.71%).
摘要:利用巨磁阻抗效应的非易失性存储器MRAM终于正式面世,飞思卡尔公司率先推出容量为4Mb的MRAM产品.从目前的产品规格及开发状况判断,MRAM的用途仍被局限在一些特定的市场上.目前正在开拓要求可进行无限次读写操作、且需要使用可在高温下工作的非易失性存储器的市场.具有这些特征的存储器只有MRAM.
摘要:利用铁基纳米微晶材料的巨磁阻抗效应设计制作了一种新型的磁场测量仪,并对其性能进行了测试.实验结果表明,该磁场测量仪具有良好的性能,用作弱磁场探测时优于高斯计.
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