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检索条件"主题词=巨磁阻抗效应"
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CoFeSiB非晶丝弱磁场测量仪的研制
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《大学物理实验》2015年 第1期28卷 1-4页
作者:邵思奇 孙亚娟 张树玲 高贵天津工业大学天津300387 宁夏大学宁夏银川750021 
设计了以Co基非晶丝为敏感元件的传感器探头,多谐振荡励磁电路,信号处理电路,单片机显示电路,且对该磁场测量仪进行了标定。
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利用非晶材料制备数字开关式磁敏传感器
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《北京机械工业学院学报》2006年 第3期21卷 43-46页
作者:陈世元 滕功清北京机械工业学院基础部北京100085 
利用Fe4.3Co68.2Si12.5B15非晶丝的巨磁阻抗效应(giantmagneto-impedance GM I),设计制作出一种新型的磁敏传感器,以满足在信息、测量和控制设备快速发展过程中对磁敏传感器小型化、低价、高灵敏度、快速反应的要求。介绍了巨磁阻抗效应...
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一种新型磁阻抗磁敏开关的设计
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《浙江师范大学学报(自然科学版)》2013年 第1期36卷 79-82页
作者:蔡晶 郑金菊 柳渊 何佳 周初凯浙江师范大学数理与信息工程学院浙江金华321004 
利用540℃和17.8 MPa退火后的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9纳米晶合金薄带具有宽平台和陡峻下降沿的磁阻抗特性研制了一款新型磁敏开关,并介绍了磁敏材料的GMI特性及磁敏开关的电路设计原理.实验结果表明:该磁敏开关的重复性好(2.06%),迟滞...
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MRAM开始量产
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《电子设计应用》2006年 第9期 87-88页
作者:大石基之 堀切近史 邱石<日经电子> 
利用巨磁阻抗效应的非易失性存储器MRAM终于正式面世,飞思卡尔公司率先推出容量为4Mb的MRAM产品.从目前的产品规格及开发状况判断,MRAM的用途仍被局限在一些特定的市场上.目前正在开拓要求可进行无限次读写操作、且需要使用可在高温下...
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GMI磁场测量仪的研究
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《浙江师范大学学报(自然科学版)》2008年 第4期31卷 416-419页
作者:林根金浙江师范大学数理与信息工程学院浙江金华321004 
利用铁基纳米微晶材料的巨磁阻抗效应设计制作了一种新型的磁场测量仪,并对其性能进行了测试.实验结果表明,该磁场测量仪具有良好的性能,用作弱磁场探测时优于高斯计.
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