摘要：集成光学、波导理论 TN252 2004021174 基于SOI的光子晶体波导的研究=Study of SOI-based photonic crystal waveguides[刊,中]／解灵运(清华大学电子工程系．北京(100084))．张冶金…∥半导体光电．一2003,24(6)．—392-395 给出了基于SOI晶片,带隙中心位于1550 nm的光子带隙材料及光子晶体波导器件的设计方法。采用基于超原胞的平面波展开法和基于完美匹配层边界条件的三维时域有限差分法,对二维光子晶体平板的带隙结构及光波传输进行仿真。在大量计算和优化的基础上,设计了适于248mm深紫外曝光和0．18μm离子束刻蚀工艺的光子晶体带隙材料及波导器件,得到了初步的工艺实验结果和样品SEM测试结果。图4参10(严寒)

摘要：光电池可直接将光转变为电能，而热光电电池可以利用光来推动一个热吸收器，进而将热能转变为电能。比利时的IMEC（大学微电子中心）实验室开发出了一种比采用硅的光电池具有更高效率的基于锗的新工艺。通常，光电池具有比硅材料更低的能带隙优势。锗可以满足能带隙需求，但是会出现表面钝化的问题。IMEC与锗晶圆厂商Umicore（***）合作攻克了钝化问题，因为锗的成本要比其他低能带隙材料更低。