摘要：介绍了一种低压电流模带隙电压基准电路,并提出了一种新颖的启动电路结构.电路采用预先设置电路工作点和反馈控制相结合的方法有效地克服了第三简并点的问题,从而保证电路能够正常工作.文中给出详细的分析和电路实现,并给出了一种电路简并点和启动裕度分析的SPICE仿真方法.电路采用0.25μmCMOS工艺设计并流片.最后对电路的测试结果进行了比较和分析.

摘要：介绍了带隙电压基准的一种改进设计,该结构通过引入MOS管亚阈值区电流特性的曲率补偿和温度保护的特性,不仅使电路在规定温度范围内具有更低的温度系数(10ppm/℃),而且能保证在温度升高至超出此温度范围的时候,基准电路的温度保护部分将输出逻辑电平信号,以达到外部电路控制的目的.同时温度保护电路具有迟滞效应,避免电路在温度T时产生震荡效应.

摘要：文章设计了一种使用新颖的高阶温度补偿方法的1.2V带隙基准电路。使用0.35μm CMOS工艺的仿真结果表明,本文所设计的电压基准在-40?C到150?C的温度范围内,温度系数只有1.2ppm/?C。电源电压从2V到5V的范围内,输出电压变化0.066%。本文所设计的电压基准特别适用于对输出电压精度要求较高,且电源电压比较低的应用。

摘要：在DC-DC变换器芯片设计中，用于产生参考电压的带隙基准的精度直接影响到芯片的控制精度。文中设计了。一种高阶温度补偿的精确带隙电压基准，使用0．6μm BCD 2P2M工艺库，HSPICE仿真显示在-25℃～125℃范围，带隙基准电压为1．249V，温度系数可低达2．7ppm／℃，电压线性调整率为0．004％，电源抑制比PSRR达87dB。

摘要：设计了一种高阶曲率补偿的带隙电压基准。基于一阶曲率补偿的带隙电压基准，利用三极管基极发射极电压VHE与温度丁的非线性关系.将温度特性为k1T＋k2TlnT的电压与一阶曲率补偿后的带隙电压相加。运用Cadence工具、TSMC0.35μm工艺和器件模型进行了仿真，工作电压为3V，在50～150℃宽温度范围内，一阶曲率补偿带隙电压基准的温度系数为13ppm/℃，而运用高阶曲率补偿后带隙电压基准的温度系数减少到3.1ppm/℃。

摘要：设计一种二阶曲率补偿的带隙电压基准。基于一阶曲率补偿的基准电路,利用二极管正向导通附近电流I与电压V的非线性关系,将补偿电流注入PTAT电流来补偿Vbe的二阶项。运用0.35μm工艺的器件模型Cadence工具下进行了仿真,在-50^+120℃温度范围内,一阶曲率补偿带隙电压基准的温度系数为16.6 ppm/℃,经过二阶曲率补偿的带隙电压基准的温度系数减小到约为3.07 ppm/℃,带隙电压基准的温度特性得到了很大改善。整个补偿电路使用器件少、占用面积小、实用性强。

摘要：全球高性能模拟混合信号半导体设计和制造领导厂商Intersil公司（纳斯达克伞球交易代码：ISIL）推出具有低噪声、低温度漂移而且低功耗的精密电压基准芯片——ISL21090，用以满足高端和便捷式仪器系统的要求。

摘要：日前，全球高性能模拟混合信号半导体设计和制造领导厂商IntersiI公司（纳斯达克全球交易代码：JSlL）推出具有低噪声、低温度漂移而且低功耗的精密电压基准芯片——ISL21090，用以满足高端和便捷式仪器系统的要求。lSL21090是一种宽输入范围、低噪声的精密带隙基准电压源。

摘要：基于0.5μm双层多晶双层铝CMOS工艺,采用共源共栅电流镜结构和基极电流补偿方法,设计了一种新颖的高性能带隙电压基准。结果表明,在温度-25℃-125℃范围,基准电压温度系数为15.3×10-6V/℃,低频时,电源抑制比可达-80db。该电路可做为A/D和D/A转换器中的基准电压源。

摘要：提出一种采用双极工艺,适用于-55~125℃的带隙基准电压电源设计方案。在经典Brokaw带隙结构的基础上,核心电路部分采用共源共栅电流镜方案,以降低三极管基极电流对电流匹配及整体电路的影响。通过增加冗余管补偿三极管集电极-衬底反偏二极管漏电流,以避免电流失配。高温补偿电路部分中利用电阻将补偿电压叠加到经过一阶补偿的基准电压电路上,以降低温度系数,提高基准温度稳定性。仿真结果表明,在3.5~40 V电源电压及-55~125℃温度范围内,提出的基准电路输出电压为1.23 V,温度系数为18.6 ppm·℃^-1,线性调整率为1.9×10-7,在频率小于100 Hz范围内电源抑制比低于135 dB。