摘要：基于GaAs平面肖特基二极管工艺,采用反向并联二极管对的平衡结构,实现了W波段宽带三倍频器芯片。采用有限元法和等效电路法联合的方式,建立10~280 GHz频率范围的平面肖特基二极管的精确等效电路模型。采用非线性谐波平衡联合仿真方法,实现了W波段倍频器的最优化设计。在片测试结果表明,在17 dBm的驱动功率下,倍频损耗小于15 dB,最大倍频效率6.7%,芯片尺寸0.80 mm×0.65 mm×0.05 mm。

摘要：基于标准的平面肖特基二极管单片工艺设计了一款平衡式亚毫米波倍频单片集成电路。依据二极管实际结构进行电磁建模,提取了器件寄生参数,并与实测的器件本征参数相结合获得了二极管非线性模型;依据该模型,采用平衡式拓扑结构以实现良好的基波抑制,设计了三线耦合巴伦电桥,并与肖特基二极管集成在同一芯片上,实现了单片集成,提高了设计准确度。芯片在片测试结果表明,在输入功率17 dBm下,输入频率75~105 GHz范围内,倍频器芯片峰值输出功率达到2.67 dBm。芯片整体尺寸为0.80 mm×0.50 mm。

摘要：基于四阳极结反向串联型GaAs平面肖特基二极管,设计并实现了0.2THz宽带非平衡式二次倍频电路。肖特基二极管倒装焊接在75μm石英电路上。在小功率和大功率注入条件下,测试了倍频电路的输出功率和倍频效率。输入功率在10~15mW时,通过加载正向偏置电压,在210~224GHz,倍频效率大于3%,在212GHz处有最高点倍频效率为7.8%。输入功率在48~88mW时,在自偏压条件下,210~224GHz带内倍频效率大于3.6%,在214GHz处测得最大倍频效率为5.7%。固定输出频率为212GHz,在132mW功率注入时,自偏压输出功率最大为5.7mW,加载反向偏置电压为-0.8V时,输出功率为7.5mW。