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检索条件"主题词=开关射极跟随"
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基于0.18 μm BiCMOS工艺的2 GS/s采保放大器
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《微电子学》2018年 第4期48卷 471-474,479页
作者：张翼 刘中华 郭宇锋 孟桥 李晓鹏 张有涛射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室南京210023 毫米波国家重点实验室南京210096 南京邮电大学电子与光学工程学院/微电子学院南京210023 江苏亨鑫科技有限公司博士后工作站江苏宜兴214222 东南大学射频与光电集成电路研究所南京210096 南京电子器件研究所南京210016 南京国博电子有限公司南京210016 
基于华虹0.18μm SiGe BiCMOS工艺,设计并实现了一种2GS/s超高速采保放大器。分析了二极管桥和开关射极跟随结构的优缺点,采用了开关射极跟随结构。增加了前馈电容,以消除保持模式下的信号馈通。后仿真结果表明,该采保放大器的信噪失真...
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