摘要：报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下,获得正向电流密度大于50A/cm-2,±3V偏压时开关比接近105的优质非晶硅薄膜二极管,完全符合三维集成电路(3D IC)中三维只读存储器(3D ROM)的要求。文中介绍了pin型二极管的结构设计和制造条件,并讨论了本征层材料厚度和微结构、界面匹配、电极材料等因素对二极管正、反向电流特性的影响。

摘要：拓展Brown模型结果,引进参量K(杂质层电流/感应层电流)分析有机薄膜晶体管(OTFT)开关比的主要影响参数,并提出一种提升器件开关比的最佳参数调整方法,它能有效解决各主要参数之间相互影响相互制约所带来的问题.最后,在参数调整接近至极限开关比情况下,研究N A(有效杂质浓度)和T s(有源层厚度)对开关比的影响规律.本研究结果可最大程度提升OTFT开关比,并为其它性能参数留下"设计余量".

摘要：介绍了~4He气隙式热开关的工作原理及其理论传热模型。通过计算分析了不同设计参数和材料选择对热开关开关比的影响,并通过实验验证了相关计算结果,以此为基础,成功研制开关比达到140,可应用于吸附式制冷机。

摘要：为了解决空间相机在冷黑环境下由于姿态变化引起的散热问题,基于金属材料的热特性设计了一种机械制冷式热开关,构建实验平台模拟热开关的实际工作环境,研究在不同热负载条件下,热流密度对传热和散热效率的影响。通过调节加热器功率大小和冷源温度水平,得到热开关的传热以及热闭合特性。实验结果表明,随着加热功率的递增,开关整体热阻逐渐减小,当加热负载为30W,热开关热闭合热阻为0.302 2 K/W,当温度降低时,热开关断开热阻达到230.46 K/W,整体开关比为762.60。该热开关能够自动实现闭合、断开特性,且具有较大的开关比,性能稳定可靠。

摘要：石墨烯由于具有易于调控的电子结构、稳定的化学性能以及超高的载流子迁移率等特性,其在电子器件领域具有广阔的应用前景。然而,石墨烯为零带隙的半金属材料,开关比较小,其在微纳电子器件中的应用因此被限制。因此,打开石墨烯带隙使其具有明显的开关比,同时保持较高的载流子迁移率是石墨烯广泛应用于电子器件领域的重大挑战。研究者们通过化学掺杂、有机分子接枝、物理吸附等方法对石墨烯的带隙进行调控。本文主要以是否破坏石墨烯的晶格结构或化学结构为分类依据,综述了石墨烯带隙打开方法的最新研究进展。

摘要：TB43 2004064362 大电流高开关比非晶硅薄膜二极管研究=An a-Si thin film diode with big current and high on/off ratio[刊,中]/耿新华(南开大学光电子所.天津(300071)).黄维海…∥光电子·激光.—2004,15(6).—640-644 报道了采用PECVD薄膜沉积技术制备的大电流、高开关比非晶硅薄膜二极管,在制备工艺温度低于200℃下。获得正向电流密度大于50A/cm^3,±3V偏压时开关比接近10~5的优质非晶硅薄膜二极管,完全符合三维集成电路(3D-IC)中三维只读存储器(3D-ROM)的要求。介绍了pin型二极管的结构设计和制造条件。