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单片低噪声放大器的设计及其在数字T/R组件中的应用: 收藏
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引用; 《微电子学》2005年第3期35卷 326-328页; 作者：陈兴国李佩刘同怀黄鲁中国科学技术大学安徽合肥230026 中国电子科技集团公司第三十八研究所安徽合肥230031; 采用GaAsPHEMT工艺,研制了单片宽带低噪声放大器。着重探讨了单片低噪声放大器在相控阵雷达数字T/R组件中应用的特殊要求,电路的工作原理与设计方法,以及ADS软件的仿真和优化;给出了主要技术指标和测试结果。最后,介绍了单片低噪声放大...; 采用GaAsPHEMT工艺,研制了单片宽带低噪声放大器。着重探讨了单片低噪声放大器在相控阵雷达数字T/R组件中应用的特殊要求,电路的工作原理与设计方法,以及ADS软件的仿真和优化;给出了主要技术指标和测试结果。最后,介绍了单片低噪声放大器在数字T/R组件中的应用。; 来源：详细信息评论

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