摘要：设计了含有沟槽辅助结构的低损耗、弯曲不敏感光纤——G.657B3光纤,采用轴向气相沉积法(VAD)制备芯棒,套管法(RIC)制备预制棒,实现了G.657B3光纤的设计和制造,并对该光纤的各项性质进行了实验测试。

摘要：针对以太网数据对多模光纤传输性能要求不断提高的问题,文章从材料组成和剖面结构设计的角度,提出了改善宽带弯曲不敏感多模光纤性能的措施。一方面通过优化纤芯掺杂元素的浓度分布,降低最佳剖面折射率分布参数αopt与波长之间的敏感性,提高多模光纤的带宽特性;另一方面在芯—包界面处采用连续可调节剖面结构(内包层),该结构不仅可以减小芯层和凹陷包层粘度差对光纤性能的影响,而且还可以通过界面结构的调节,非常有效地改变高阶模的时延,消除凹陷对光纤带宽性能的影响。测试结果表明,该新结构光纤不仅具有较宽的带宽特性,还具有较低的弯曲损耗。

摘要：随着光纤通信容量的不断增加,基于少模光纤的模分复用技术由于其多信道复用、高频谱效率及低非线性效应成为目前提高光纤通信容量的研究热点.本文推导得到了适用于少模光纤中高阶模式弯曲损耗的计算公式,系统研究了下陷层辅助弯曲不敏感抛物线型少模光纤的主要参数(包括芯层半径、芯层到下陷层距离、下陷层宽度及下陷层折射率差)对其弯曲损耗特性的影响.研究表明:对于少模光纤,模式阶数越高,光纤的弯曲敏感性越高;随纤芯与下陷层间距离的变化,光纤各阶模式的弯曲损耗均存在一个最小值.本文结论对弯曲不敏感少模光纤的设计、制造及少模光纤弯曲性能优化具有指导意义.

摘要：设计了一种抗弯曲大模场面积单模光纤方案——沟槽辅助型瓣状光纤。纤芯中间加入了低折射率辅助沟槽,纤芯四周围绕高折射率扇形瓣。利用COMSOL软件计算模式损耗、模场面积等性能。研究表明:在弯曲半径为15cm的情况下,光纤模场面积可达700μm2,高阶模和基模损耗比大于100,能够实现有效单模操作。此外,当弯曲方向在[-180°,180°]范围内变化时,光纤性能保持稳定。这种光纤在紧凑型高功率光纤激光器和放大器领域显示出巨大的潜力。

摘要：针对高速光纤网络对超大容量光纤的需求,以及G.652与G.657光纤大模场直径不匹配等问题,从单信道传输速率为400Gb/s光纤传输系统对高性能光纤的实际使用要求出发,介绍了一种同时具备超低损耗和超强抗弯的G.652光纤结构设计、制造技术及其性能测试方法。详细讨论了研制超强抗弯和超低损耗G.652光纤的关键技术,包括结构设计、材料掺杂、制棒和拉丝等。

摘要：首先介绍了G.657单模光纤制造技术的演进情况,然后提出采用"三步法"制造G.657弯曲不敏感单模光纤的工艺技术,设计并制造出两种类型的弯曲不敏感单模光纤。其中,G.657A2光纤在弯曲半径为7.5mm时,1 550和1 625nm波长的弯曲损耗分别为0.063和0.136dB,1 383和1550nm波长的衰减系数分别为0.272和0.188dB/km;G.657B3光纤在弯曲半径为5mm时,1 550和1 625nm波长的弯曲损耗分别为0.067和0.122dB,1 383和1 550nm波长的衰减系数分别为0.276和0.182dB/km。测试结果表明,该"三步法"预制棒技术能够生产出高抗弯、低损耗的小弯曲半径单模光纤,该光纤的关键技术指标均优于ITU-T国际标准。

摘要：结合ITU-T G.657光纤标准的修订,将弯曲不敏感光纤的分类及性能区别进行了汇总分析,介绍了G.657光纤波导结构设计和业界采用的制备技术,并将亨通光纤公司所进行的超强抗弯曲光纤的研制方法和开发的G.657B3光纤性能情况作了分析和阐述。测试结果表明,研制的G.657B3光纤各项性能优于ITU-T国际标准,与G.652D光纤熔接损耗典型值0.099 33dB,具有良好的兼容性。