摘要：采用ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ对和厚膜混合集成技术，设计、制作了一种运算放大器，并在３５０℃下进行了测试。在２５～３５０℃温度范围内对这种放大器成功地进行了测试，放大器的增益大于６０ｄＢ，共模抑制比大于５５ｄＢ，在整个温度范围内偏移电压从１３９ｍＶ变化到１５９ｍＶ。这些结果证明了采用ＳｉＣＭＥＳＦＥＴ和厚膜混合集成技术实现高温电路设计和组装的可行性。

摘要：在许多信号测量、信号处理系统中都需要将模拟信号转换为获得数字信号,在模/数转换中存在速度与精度的相互限制。为了克服这种限制,把输入信号宽广的动态频带范围和简化反锯齿波的需求有机的融合在一起,实现精简的设计程序,以此实现高精度的∑-△技术,最终达到高精度的要求。采用微分放大器实现信号缓冲和平移,使用过量程标志寄存器、内部增益寄存器与偏移量寄存器和低通数字有限脉冲响应滤波器(FIR)滤波器,以此达到高速度的要求。把实现高精度要求的技术和高速度要求技术有机的、综合的融合,不仅实现高速度、高精度的模数转换,而且使芯片的外围引脚更加合理简化,这就是ADI公司的AD7760芯片。