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多晶硅微型电极阵列的研制: 收藏
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引用; 《半导体光电》2005年第4期26卷 317-319页; 作者：吴英江永清温志渝张正元重庆科技学院重庆光电技术研究所重庆400060 重庆大学光电工程学院重庆400044; 讨论了pn结对制作硅微电极阵列的局限性,提出了一种在沟道侧壁制作多晶硅电极阵列的设计和制作方法。实验结果表明,利用该方法研制的微电极阵列不仅克服了pn结的影响,能够为MEMS芯片器件提供所需的工作电压,而且也为一些小型化电极的设...; 讨论了pn结对制作硅微电极阵列的局限性,提出了一种在沟道侧壁制作多晶硅电极阵列的设计和制作方法。实验结果表明,利用该方法研制的微电极阵列不仅克服了pn结的影响,能够为MEMS芯片器件提供所需的工作电压,而且也为一些小型化电极的设计及研制提供了新的思路和方法。; 来源：详细信息评论

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