摘要：研制了一种用于混频器的微波低通滤波器。采用椭圆函数型低通原型进行设计,电感用高阻抗微带线实现,并联电容采用高Q值陶瓷微调电容器来实现。用εr=2.5的聚四氟乙烯覆铜板制作了截止频率为540MHz,级数为9的椭圆函数型低通滤波器,插损小于2dB,体积为60×40×10mm3,输入输出端为SMA或N型接头。

摘要：本栏目将不定期地向读者报道国内外优秀、新型的元器件产品信息。除特殊说明外,本栏目中的美元价格均为美国本土价。产品特 性型号 . 价格 联系方法砷化镓场效应晶体管(GaAsFET)光耦合金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)功率MOSFET射频双极晶体管一种3W MESFET(金属半导体场效应晶体管)和一种HJFET(异质结场效应晶体管)供L频带和S频带应用,在设计上适于Class—AB工作;在1.9GHz分别提供lOdB和14dB增益;3.8 x *** SMT封装.单极常开光耦合MOSFET以350V峰值和120mA的负载工作;在120mA提供25 Q导通电阻、3750Vrms(均方根值)隔离,并与TTL/CMOS兼容;6脚DIP封装。n沟道和P沟道MOSFET的最高结温为175℃;提供60V额定击穿电压并在4.5V门驱动电压下提供90m Q(n沟道)或280m Q(P沟道)导通电阻;TO-252封装。RF硅双极晶体管以4.2mm。SOT-323封装供应;AT32032型工作在I-5V之间,电流低达lmA;AT4l 532型是个低噪声器件,其特点是工作在2.7V、5V或8V。NE6500379AM...