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基于双模互锁的抗三节点翻转锁存器设计: 收藏
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引用; 《半导体技术》2021年第10期46卷 759-764,794页; 作者：徐辉孙聪周乐梁华国黄正峰李丹青安徽理工大学计算机科学与工程学院安徽淮南232001 合肥工业大学微电子学院合肥230009; 随着半导体工艺的发展,集成电路对单粒子效应所引起的软错误更加敏感。为了减弱或消除软错误对集成电路的影响,提出了一种基于32 nm CMOS工艺的抗三节点翻转(TNU)锁存器。该锁存器通过两个互锁的单节点翻转自恢复单元与C单元相连来抗TN...; 随着半导体工艺的发展,集成电路对单粒子效应所引起的软错误更加敏感。为了减弱或消除软错误对集成电路的影响,提出了一种基于32 nm CMOS工艺的抗三节点翻转(TNU)锁存器。该锁存器通过两个互锁的单节点翻转自恢复单元与C单元相连来抗TNU。此外,由于使用时钟门控技术、快速传输路径以及较少的晶体管,使该锁存器的功耗和延迟较低。HSPICE仿真结果表明该锁存器能够抗TNU,与其他先进的辐射加固锁存器相比,该锁存器在减少晶体管数量约34%的情况下,其功耗和延迟分别降低了约58%和21%,而功耗延迟积降低了约68%,并且对工艺、电压和温度(PVT)的波动具有低灵敏度。; 来源：详细信息评论

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