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一种6位超高速CMOS FLASH A/D转换器
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《微计算机信息》2008年 第26期24卷 277-279页
作者:朱文举 陈杉 杨银堂 朱樟明 杨凌西安电子科技大学微电子研究所 710071西安宽禁带半导体材料和器件教育部重点实验室 宽禁带半导体材料和器件教育部重点实验室 
介绍了一种超高速六位快闪式CMOS A/D转换器的设计。该转换器采用0.18?m CMOS工艺。本转换器的特点是采用了一种被称之为基于反相器的阈值电压的比较器(TIQ)阵列来替代传统Flash结构中的电阻分压网络部分。仿真结果显示,在1.6GSPS的速度...
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