摘要：半导体先进制程工艺逐步趋于极限,继续沿摩尔定律发展的脚步放缓,而扇出型晶圆级封装(Fan-out Wafer Level Packaging,FOWLP)通过晶圆重构的方式突破了传统扇入封装的I/O引出端的数量限制,并利用多层再布线(Redistribution Layer,RDL)等技术,缩小引脚间距,减薄封装厚度,降低高频信号传输损耗,从而进一步提升芯片集成度。近年来已在消费电子、高性能计算等领域逐渐发展成为具有代表性的先进封装技术,是接续摩尔定律的关键技术。但FOWLP的可靠性问题随着其结构精密和生产流程复杂而日益突出。结合FOWLP近期技术发展和应用的现状,总结了发展趋势;从FOWLP结构的工艺缺陷和失效模式出发,阐述了FOWLP的工艺流程和重点工艺环节;根据不同失效类型,系统归纳了引发失效的物理效应和物理模型;最后,介绍了提升FOWLP结构可靠性的工艺调整和优化设计方法。

摘要：对扇出型晶圆级封装晶圆重构工艺过程中翘曲产生的原因进行阐述,总结了近年来国内外翘曲仿真与控制的研究进展。从晶圆重构工艺所用的材料、设计的重构结构,以及重构涉及的模塑固化、减薄和解键合等方面的仿真分析结果,分析了翘曲的形成原因。此外,将晶圆重构仿真分析结果与实验测试结果进行对比。最后,对重构晶圆翘曲矫正未来的发展方向进行展望。

摘要：在扇出型晶圆级封装工艺中,由于芯片材料与塑封料之间的热膨胀系数差异,晶圆塑封过程中必然会形成一定的翘曲。如何准确预测晶圆的翘曲并对翘曲进行控制是扇出型晶圆级封装技术面临的挑战之一。在讨论圆片翘曲问题时引入双层圆形板弯曲理论与复合材料等效方法,提出一套扇出型晶圆级封装圆片翘曲理论模型,并通过有限元仿真与试验测试验证了该翘曲理论模型的计算精度。同时给出该理论模型在实际工程中的应用,对扇出型晶圆级封装产品设计与翘曲预测具有指导意义。