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检索条件"主题词=承载槽"
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硅外延工艺与基座的相关性研究
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《半导体技术》2012年 第8期37卷 638-641页
作者:高淑红 赵丽霞 袁肇耿 侯志义 王艳祥河北普兴电子科技股份有限公司石家庄050020 
硅外延使用包封SiC的石墨基座,基座的尺寸及基座上承载槽的形貌和硅外延片的滑移位错直接相关。为使高温下Si片内产生的应力不超过滑移位错产生的临界应力,必须使Si片处于均匀的温区。实际使用表明,基座边缘热辐射及热量被气流带走使基...
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一种相似模拟实验架加载装置的设计与应用
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《内蒙古煤炭经济》2018年 第11期 57-58页
作者:李宏亮淮沪煤电有限公司丁集煤矿安徽淮南232142 
本文针对传统相似模拟实验架加载装置,采用在模拟岩层体上方堆叠铁块的方式模拟上覆岩层重量,堆叠过多劳动强度大、易产生滑落等不安全因素,设计一种相似模拟实验架加载装置,包括设置在相似模拟实验架两侧的支撑柱,4个支撑柱上设置有承...
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