摘要：分析了设计超辐射发光二极管抗反射膜的光导纳法,介绍了有效折射率的概念。选用TiO2和SiO2两种材料给出了中心波长为850 nm时的设计实例。结果表明设计时要考虑有效折射率,才能获得好的性能。

摘要：利用严格耦合波分析法(RCWA)分别计算了五种不同形貌的亚波长浮雕结构的太阳能电池抗反射膜性能,分别从占空比、光栅高度和周期等结构参数以及入射光角度进行模拟。研究结果表明:周期为200nm,高度为400nm,占空比为1的金字塔型浮雕结构的抗反射效果令人满意,且平均反射率低于1%;光波的入射角对光栅的反射率影响较大,光波在光栅法线的角度控制在40°以下合适。通过对亚波长浮雕结构的反射特性模拟和分析,为太阳能电池抗反射膜设计与制作提供理论支持。

摘要：本文研究了ＰＥＣＶＤ抗反射膜ＳｉＮ的热退火特性。测量结果表明，经过制备ＧａＡｓ透射光阴极的热压粘结工艺的热退火处理ＳｉＮ薄膜的折射率增加了约０．１，薄膜厚度减少了约１５％。ＩＲ透射谱分析表明，这是由于退火后膜中Ｈ的释放而引起化学键比例变化所致。此项工作为透射式ＧａＡｓ光阴极抗反射膜的设计和制备提供了依据。

摘要：具有宽带高吸收特性的吸收器是太阳能利用的关键。设计了一种含有抗反射层的基于二维光子晶体结构的太阳能吸收器,其中砷化镓(GaAs)作为吸收介质,被填充到具有四方晶格结构的二维光子晶体的钨(W)基底圆形空腔中。采用有限元法进行了模拟计算分析,结果表明,在300~2500 nm的波长范围内,吸收器的平均吸收率为92.5%,有效吸收率高达94.9%,入射仰角为50°时,有效吸收率仍有90.13%。该结构具有全太阳光谱高吸收、偏振不敏感和广角吸收等特点。研究结果为高性能太阳能吸收器的设计提供了参考。

摘要：研制了有源区为InGaAs张应变体材料的1.55μm偏振不灵敏半导体光放大器(SOA)。采用束传播法计算了偏离镜面垂直方向7°的埋层波导结构模式场分布,并用平面波展开法设计了多层抗反射膜,在TE模和TM模反射率同时小于10-4时膜厚允许误差为3%。对放大自发发射谱(ASE)和增益谱的分析表明,他们具有基本一致的偏振灵敏度。对一腔长800μm的SOA在注入电流250 mA时,测量得出TE模和TM模的ASE谱偏振灵敏度小于0.5 dB,增益谱3 dB带宽为63 nm,1 550 nm处光纤到光纤增益为11.9 dB,3 dB饱和输出功率为5.6 dB,在1 570 nm处的噪声指数为7.8 dB。而一腔长1 000μm SOA耦合封装后得到的最大增益为15 dB。

摘要：本文首先从近代薄膜光学理论和最优化方法出发。得出若干多层增透膜设计结论,在此基础上,讨论了具有变折射率膜层的增透膜性能,研究了变折射率薄膜的单色光效应、计算方法、折射率剖面的分布对增透膜光谱性能的影响,以及变折射率的光谱效应的补偿和利用等。文章设计和制备了一种在可见光区近乎无色的低反增透膜,提出了积分控制等新工艺。