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检索条件"主题词=抗辐照加固设计"
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改善辐照加固设计流水线型模数转换器性能的抖动电路技术
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《上海交通大学学报》2013年 第1期47卷 129-132,137页
作者:余金山 梁盛铭 马卓 王育新 张瑞涛 刘涛 李婷 俞宙国防科学技术大学计算机学院长沙410073 中国电子科技集团公司第二十四研究所模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 
提出了一种能够改善高精度辐照加固设计流水线型模数转换器(ADC)动态性能指标的减式抖动电路技术.其中,基于深度伪随机数生成器所产生的伪随机数来驱动高精度数模转换器而生成所需的抖动信号,将抖动信号与ADC的输入信号相加输送给ADC进...
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一种65 nm CMOS低功耗加固SRAM单元
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《微电子学》2019年 第4期49卷 518-523,528页
作者:黄正峰 卢康 郭阳 徐奇 戚昊琛 倪天明 鲁迎春合肥工业大学电子科学与应用物理学院合肥230009 安徽工程大学电气工程学院安徽芜湖241000 
提出了12管低功耗SRAM加固单元。基于堆叠结构,大幅度降低电路的泄漏电流,有效降低了电路功耗。基于两个稳定结构,可以有效容忍单粒子翻转引起的软错误。Hspice仿真结果表明,与相关加固结构相比,该结构的功耗平均下降31.09%,HSNM平均上...
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一种新型单粒子翻转加固SRAM单元
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《半导体技术》2018年 第12期43卷 941-948页
作者:刘鸿瑾 李天文 稂时楠 张建锋 刘群 袁大威北京轩宇空间科技有限公司北京100190 北京控制工程研究所北京100190 北京工业大学信息学部北京100124 
随着器件特征尺寸缩小,发生在敏感节点之间的电荷共享使加固静态随机存储器(SRAM)单元容易发生单粒子翻转(SEU)。通过对ROCK,WHIT,Quatrol及JUNG等SRAM单元的SEU加固机理分析,提出一种新型SEU加固SRAM单元,并从面积、延时、功耗和SEU恢...
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