摘要：以提高微流控芯片表面质量为目的,进行磁性抛光微流控芯片的关键工艺参数优化研究.首先,设计单因素实验组,根据实验结果,得到磁性抛光关键工艺参数对其抛光质量的影响规律:随着抛光间隙的减小,芯片表面粗糙度由0.327μm增至0.045μm,后又降至0.130μm,其最佳抛光间隙为1.5 mm;主轴转速对抛光质量的影响并不显著,改变转速进行抛光后芯片表面粗糙度保持在0.045~0.055μm,其最佳范围为400~800 r/min;微流控芯片表面粗糙度随着抛光时间增加而提高,最高表面粗糙度为0.018μm,相对而言,最佳抛光时间为30 min.此外,磁性复合流体(magnetic compound fluid,MCF)抛光质量受加工间隙影响最大,受抛光时间的影响略大于主轴转速.实验结果表明,通过对磁性抛光的关键工艺参数进行优化,可以将微流控芯片的表面粗糙度从0.510μm提高到0.018μm,由此可进一步探索磁性抛光技术应用于微流控芯片的确定性抛光.

摘要：本文设计了电解复合抛光304不锈钢工件的实验,并通过实验研究加工电压、进给速度、电极转速和电解液流量对抛光质量的影响规律。

摘要：为了改善曲轴法兰外圆表面抛光质量,从人员、材料、设备、抛光工艺、检测等角度全面分析研究曲轴法兰抛光表面粗糙度的相关因素,并运用等方差分析、双样本T检验法锁定关键因子,通过试验设计、验证、分析确定最优因子水平,在保证成本效率的同时实现法兰抛光过程能力(Ppk)提升至1.29。