摘要：以Haldane模型为研究体系,扩展了拓扑电路对相互作用调制的研究,设计并构建了调制紧束缚模型在位势能的一般方法。通过改变Haldane模型的在位势能,包括改变整体在位势能、对蜂窝晶格两原子施加不同在位势能,以及调整边界原子在位势能等,特别是构建相应的电路实验设计方案,实现了对界面态的调制,为进一步调控和利用界面态提供了新的思路。

摘要：利用凝聚态物理中紧束缚哈密顿量与集中参数电子线路中基尔霍夫方程的对应关系,可以在电子线路中设计出种类丰富的拓扑物态.本文详细介绍用电路实现一维SSH模型、三维结线半金属模型和外尔半金属模型的设计方案.在上述拓扑电路中可探测到端点态、表面鼓膜态、表面费米弧等体拓扑性质对应的界面态.由于电子线路对应的紧束缚哈密顿量中的跃迁项具有丰富的调控自由度,如强度、距离、维度等,容易推广到非厄密系统以及四维或更高维度的系统,使得人们能在电路中设计和验证传统凝聚态体系中难以实现或无法实现的新物态.此外,电子线路具备器件功能多样、制备工艺成熟可靠等优势,为探索新奇物态提供了一个便利的实验平台.

摘要：真空有载分接开关(On-Load Tap-Changer,OLTC)作为直流输电工程换流变不可或缺的核心组件,用于维持高压直流输电中阀侧直流电压稳定,无功补偿电压波动以及直流输电工程经济灵活运行。真空OLTC主触头需承载负荷电流,在频繁操作的运行工况下,主触头打开时会出现“火花放电”,严重威胁设备的安全稳定运行。基于此,介绍了主触头工作状态拓扑电路,解析了流过主触头的负载电流,最后分析了主触头“火花放电”能量。该研究为真空OLTC主触头的设计运行及电气烧蚀机理分析提供了有益参考。

摘要：高压变频器一般要求输出电压为3．3kV、6kV、10kV，而现在生产的开关功率元件，开关频率高、损耗小的新型元件，一般都是用IGBT、IGCT。以IGBT为例，元件最高耐压3．3kV，按变频器设计要求．对元件选择要达到2√2U，即要求3倍额定电压，10kV的变频器就要耐压为30kV的功率元件，

摘要：无论对哪种封装,新一代600V超结MOSFET的导通电阻标定了新的基准。新产品系列的特点是电流容量和开关速度非常高。兼之它具有目前世上无与伦比的优值FoM(Ron*Qg)——低于6ΩnC,这就注定了此器件将被用于硬开关AC/DC功率转换电路。本论文详细分析了移相ZVS全桥和交替双管正激架构(ITTF)的功耗。为尽量保证比较有意义,我们选择了非常相似的设计方案和相同的功率输入/输出条件。结果表明,与次好的MOSFET移相ZVS桥相比,新产品系列在不牺牲效率的条件下允许采用更简单的ITTF电路拓扑。

摘要：随着社会的不断发展,人们的生活水平不断提高,应用在人们生活中的各类电子设备也大大增加。因此,开关电源的重要性正在日益凸显。开关电源具有重量轻、体积小、效率高等优势,尤其是高电压大功率开关电源,已经成为当前电子电力学领域中的主要发展和研究方向。而在开关电源当中,拓扑电路的设计是至关重要的,它会直接影响到开关电源的性能。本文对高电压大功率开关电源拓扑电路的工作原理进行了分析,而后对其拓扑电路的设计进行了研究。

摘要：本文对逆变电源常见拓扑电路进行了系统介绍,针对拓扑常用典型结构图,对其各自应用场合和优缺点进行了对比分析,并对目前使用最为频繁的全桥式变换电路,从主电路所需各器件参数以及变压器的确定,一并给予了详细介绍。

摘要：介绍了逆变电源常见拓扑电路,针对拓扑常用典型结构图,分析了各拓扑结构的应用场合及优缺点,给出了全桥逆变电源的设计方法及其器件的参数。通过科学合理的器件选择,使其高效节能的逆变电源得到广泛应用。

摘要：逆变器并联虽然能提高电源系统的容量、可维护性和可冗余度,但是其主电路设计和控制方法比单台逆变器复杂,基于此,详细综述了逆变器主电路的拓扑结构。在主电路结构中,分别介绍了独立并联系统、交互并联系统、独立直流电源逆变器并联和共用直流电源并联的主电路结构,同时分别介绍了各自的优缺点,针对不同的主电路拓扑电路,介绍了相应的控制方法。对提高工业自动化电源、高端焊接逆变电源系统的稳定性和可靠性具有一定的参考价值。

摘要：TOP232是美国Power Integrations公司(PI公司)生产的新一代开关电源TopSwitch-FX系列IC,采用的EcoSmart节能技术,在降低设计成本,提高设计灵活性上具有很大的优势.与PI 公司的第一代产品TopSwitch相比,TopSwitch-FX具有相同的拓扑电路,并以高性价比集成了多项新功能.