摘要：采用指数掺杂技术,通过金属有机化学气相沉积法外延生长了反射式GaAlAs和GaAs光电阴极,GaAlAs发射层的Al组分设计为0.63.在超高真空系统中分别对两种阴极进行激活实验,得到激活后的光谱响应曲线.利用指数掺杂反射式光电阴极量子效率公式对实验曲线进行拟合并分析了电子漂移扩散长度、后界面复合速率、表面电子逸出几率等性能参数对光电发射性能的影响.结果表明,与GaAs光电阴极相比,GaAlAs光电阴极的Al组分虽然在一定程度上不利于光电发射,但是解决了GaAs光电阴极由于响应波段宽而不能很好地用于窄波段可见光探测领域的问题,制备出只对蓝绿光响应的反射式GaAlAs光电阴极.

摘要：利用标准微电子工艺研制出了一种可以应用于微波倍频电路中的肖特基势垒变容二极管,采用平面结构的制作工艺,克服了传统制作工艺的不易集成的缺点。并且在N型层的掺杂浓度呈指数规律,使变容管的变容比高于传统的均匀掺杂结构,有利于提高倍频电路的工作频率和输出功率。采用台面隔离工艺以形成分别用于制作肖特基接触和欧姆接触的两个台面。经过测试,得到-6V～0.5V电压下的电流特性和-4V～0.2V电压下的电容特性曲线。变容比高达2.3。

摘要：将In_(0.53)Ga_(0.47)As吸收层设计为多个薄层,通过不同浓度掺杂实现吸收层杂质指数分布,建立了InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP红外光电阴极模型,在皮秒级响应时间的前提下模拟了吸收层厚度、掺杂浓度和阴极外置偏压对阴极内量子效率的影响,给出了光电子在吸收层和发射层的一维连续性方程和边界条件,计算了光电子克服激活层势垒发射到真空中的几率,进而获得阴极外量子效率随上述三个因素的变化规律,结果表明,吸收层掺杂浓度在10^(15)～10^(18)cm^(-3)范围内变化时,内量子效率变化很小;随着吸收层厚度在0.09～0.81μm内增大,内量子效率随之增大;随着外置偏压升高,内量子效率先增大后趋于平稳。文中给出一组既能获得高量子效率又能有快时间响应的阴极设计参数,理论上1.55μm入射光可以获得8.4%的外量子效率,此时响应时间为49 ps。