摘要：利用接触势差法自行设计开发了一种新型的表面功函数测试装置。基本原理是参考电极与样品之间形成电容,计算流过参考电极与样品之间的电流,通过确定电流的零点来获得功函数。此测量仪器由函数发生、功率放大、振荡器等多个功能模块组成。能在空气环境中快速测量半导体、金属、金属氧化物薄膜的表面功函数。我们运用此装置成功地对有机电致发光的阳极氧化铟锡(ITO)薄膜、p型硅片的功函数进行了测量,得到了样品经过UV-Ozone处理前后功函数随时间变化的曲线,为器件的优化提供了依据。

摘要：采用接触势差法,设计并组建了功函数测量系统。该系统由信号发生单元、振动单元和检测单元组成,信号发生单元输出低频正弦信号使参比电极振动,调节振动单元偏压使检测单元输出信号为零,通过计算加载偏压和标准参比电极的偏差可得样品功函数值。用该系统测量了UV处理对ITO功函数的影响,发现ITO功函数的提高存在极限值并可改善有机电致发光器件(OLED)的性能。该系统可在空气中快速、准确测量表面功函数。