摘要：InGaAs/AlGaAs多量子阱(MQWs)作为一种常见的Ⅲ-Ⅴ族外延材料,通常应用于半导体激光器和太阳能电池等领域。然而,由于量子阱的势阱层和势垒层生长温度不同,铟原子的偏析和多量子阱生长质量较差等问题尚未得到很好的解决。本文设计了一种砷化镓(GaAs)材料作为插入层(ISL),并用于InGaAs/AlGaAs MQWs的结构。PL、XRD、AFM测试表明,GaAs插入层保证了MQWs结构中更多的辐射复合,阻止了铟原子的偏析。但GaAs插入层的引入也会产生“局域态”,影响量子阱的发光性质。本研究可以加深对InGaAs/AlGaAs多量子阱辐射复合机制的理解,并且对引入GaAs插入层的InGaAs/AlGaAs多量子阱发光性质的研究具有重要意义。

摘要：利用wxAMPS软件对吸收层In组分为0.2的非极性InGaN基P-I-N结构双异质结太阳能电池进行仿真,分别研究了在P-I结和I-N结处插入In0.1Ga0.9N做为中间带宽插入层对太阳能电池效率的影响。通过仿真发现,随着P-I结处插入层厚度增加,太阳能电池效率先增加后减少,而随着I-N结处插入层厚度增加,太阳能电池效率递增,但厚度超过10 nm时,增加速率迅速减小。最后再利用仿真所得的最优数据设计出同时使用两种插入层的新结构电池,共15 nm的中间带宽插入层将电池效率从10.7%提高至11.2%。

摘要：基于实验样品,利用PICS3D模拟软件分析电子阻挡层对激光器性能的影响,尤其是对电光转换效率的影响。通过在上波导层和电子阻挡层之间插入一层AlGaN层,调整插入层和原始电子阻挡层的Al原子数分数和厚度,形成复合电子阻挡层,设计了一系列InGaN基紫色激光器,并模拟比较它们的电流-电压特性曲线、发光功率、电光转换效率、能带分布和载流子分布等特性。结果表明,采用插入层的Al原子数分数和厚度分别为0.30和15 nm、原始电子阻挡层的Al原子数分数和厚度为0.24~0.06和5 nm的新复合结构电子阻挡层,可以调整能带结构、抑制电子泄漏、增加空穴注入,从而提高辐射复合率、增大激光器电光转换效率。相较于参考结构,新结构的电光转换效率提升了36.9%。

摘要：先进节点半导体的设计规则能在单位面积上制作更多晶体管,要求与外部更精细的互连。先进节点硅中的材料正从低k向超低k转变,这使器件更易受应力影响。为了满足先进节点硅的要求,基板材料朝接近硅的低热膨胀系数(CTE)方向变化,且有细线条性能的高杨氏模量。本文概述了当前从不同供应商得到的基板材料的开发状况。通过采用所谓的2.5D硅插入层技术,产业也有了对基板材料的革命性方法。但是,主要的不足在于其固有成本高。本文研究了有关的替代材料,如玻璃、陶瓷和有机基板材料,并比较了它们的利弊。

摘要：设计了一种具有双Al N插入层的Al GaN/Al Na/GaN/Al Nb/GaN HEMT结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一Al Nb插入层的生长时间对材料表面形貌和电学性能的影响,得到了最佳的Al Nb生长时间介于15~20s。对Al Nb生长时间为15s的样品进行了变温Hall测试,其2DEG迁移率在80K时达8849cm2/V.s,室温下为1967cm2/V.s,面密度始终保持在1.02×1013cm-2左右,几乎不随温度改变。用非接触式方块电阻测试系统测得该样品的方块电阻值为278.3Ω/□,不均匀性为1.95%,说明双Al N插入层的引入对提高HEMT结构材料的电学性能作用明显。

摘要：碳纤维复合材料风扇叶片榫头段是铺层数量最多、递减铺层最集中的部位,榫头的铺层质量影响叶片的低周疲劳强度。为完成叶片榫头段的铺层设计,基于铺层设计准则,建立了一种适用于航空发动机复合材料风扇叶片榫头段铺层设计的方法。根据铺层高度大小将铺层分为结构层和插入层,在结构层铺层设计中考虑了高度递减层的角度与铺放位置。在插入层铺层设计中,考虑了单组插入层铺层数量、单组插入层内部铺层顺序及铺层角度、单组插入层形成的坡度、相邻插入层之间的错开距离等五个方面的因素,确定了单组插入层的结构及其在榫头的分布。根据设计方案对榫头进行加工制造,成型的榫头试样件厚度检测质量良好,证实了该铺层设计方法的可行性。