摘要：电压源谐振变换器广泛应用于介质阻挡放电薄膜表面处理领域,其放电波形是影响薄膜表面处理效果的重要因素。首先分别对连续电流模式和断续电流模式下的电压源谐振变换器进行时域解析,证明了断续电流模式下放电电流波形能独立于功率而自由调节,而连续电流模式下放电电流波形与功率耦合而无法独立调节。然后以此为基础,设计并搭建了2台连续电流模式和断续电流模式的350 W/30 k Hz变换器样机,对双轴向聚丙烯、流延聚丙烯和聚酯三种材料样品进行了表面处理和效果对比。结果表明:在相同功率和频率下,与连续电流模式相比,断续电流模式中谐振电感越小,放电脉宽越窄,峰值电流越大,塑料薄膜的表面接触角越小,处理效果越好;断续电流模式下减小谐振电感可缩短放电脉宽,使得达到相同表面处理效果所需功率越小,实现了节能目的。

摘要：针对目前磨削辅助电火花线切割(A-WEDM)微观切割机理尚不明确的问题,以单晶硅为加工对象,通过设计电路对最大放电间隙进行了测量。通过采集和分析加工中的放电波形、观测加工后工件表面形貌同时比较磨粒出刃高度与放电间隙的大小,研究了A-WEDM材料去除机理。考察了4个因素(脉冲宽度、占空比、进给速度和线锯速度)对A-WEDM切割单晶硅的材料去除率和表面粗糙度的影响。实验结果表明,A-WEDM切割单晶硅的最大放电间隙为57μm,在加工的初始阶段先产生放电腐蚀作用;当加工处于稳定阶段时,在每个脉冲宽度内,工件材料在放电腐蚀与金刚石颗粒磨削的耦合作用下被去除;而在每个脉冲间隔内,放电腐蚀作用停止,金刚石颗粒的磨削作用仍然存在,从而去除了放电产生的部分重铸层与电蚀坑。

摘要：利用EFIT设计了可用于HL-2M初始放电的圆截面限制器位形以及偏滤器位形;设计了满足放电击穿条件要求(零场区域平均杂散磁场应不超过20G)的零场位形。综合分析放电过程伏秒数消耗及真空室涡流的影响,使用PF8线圈电流补偿真空室涡流产生的杂散磁场,设计了等离子体电流200kA的限制器位形及偏滤器位形的自洽的放电波形。将该放电波形作为放电调试的参考波形,成功实现了限制器位形的初始放电实验。

摘要：利用EFIT为HL-2M装置设计了孔栏位形、双零偏滤器位形和下单零偏滤器位形三种典型平衡位形;三种位形满足HL-2M装置的物理目标给出的位形参数的总体要求,即大半径1.78m、小半径0.65m,且位形具有高拉长比、大三角形变等特点。同时充分考虑CS线圈电流对位形的影响和PF线圈电流限制,分别设计了等离子体电流为1.2MA和3MA的三种基本位形放电波形;利用TSC分析了等离子体电流为1.2MA的HL-2M装置放电演变过程中伏秒数消耗。

摘要：通过设计局部放电回路检测系统,采用脉冲电流法对高压电气设备常见的两种典型缺陷进行局放试验,用Matlab对数据进行后续处理,绘制出设计试验系统下局部放电的特征参量图谱,并进行分析。结果表明:该试验系统能够模拟仿真局部放电的特征,试验验数据与理论分析相符合。

摘要：在慢走丝电火花线切割加工过程中,由于其放电机理的复杂性、放电点的随机性和最优加工参数的不确定性,放电加工过程中的放电间隙电压可大致分为开路、正常放电、电弧、短路和复杂放电五种放电波形。在不同加工参数下,各类放电波形的比例不一样,不适当的加工参数将显著降低正常放电波形的比例,严重影响慢走丝加工过程中的效率、精度和稳定性。建立一种慢走丝线切割放电状态浮动电压阈值在线识别方法,在放电波形识别系统中,根据不同的加工工况,调节阈值电压的参考值。再根据识别的各种放电波形的比例,采取相应的措施,改变加工参数,已达到最优的放电波形比例。实验数据表明,该系统具有较高的识别精度、实时性和稳定性,且提高材料去除率约20%,降低表明粗糙度约27%,该放电波形识别系统可在电火花线切割加工中具有较好的实用性。

摘要：航天器表面介质材料在空间等离子环境下会产生放电现象,放电诱发的瞬态脉冲会对航天器在轨安全运行产生严重影响。通过对不同面积的125μm厚Kapton温控材料进行放电实验,对放电诱发的瞬态脉冲进行测量,总结分析其规律,得出4～36 cm2Kapton材料和64～225 cm2Kapton材料的放电波形存在比较大的差异,而且随着材料面积增加,Kapton材料的放电电流峰值、放电持续时间、放电电荷损失量和放电频率都相应的升高。对Kapton材料放电特性的研究,将为航天器带电防护设计和放电危害评估提供数据支持。