摘要：数字修调技术采用MOS开关控制电路实现对修调数据的传输和电路拓扑结构的改变,相对于传统的修调技术,数字修调技术具有灵活性、可重复性和低成本等特点。基于0.35μmBiCMOS工艺,对采用数字修调技术的A/D转换电路进行仿真验证。结果表明,设计的A/D转换器,其SFDR达65 dB,INL和DNL分别达到0.35 LSB和0.26 LSB,采样率达到250 MSPS.

摘要：设计了一种基于数字修调技术的宽带高增益运算放大器,介绍了宽带高增益放大器在高速跟踪保持电路中的应用。该运算放大器采用两级放大电路—共源共基和共源共栅结构实现。基于0.35μmBiCMOS工艺仿真验证,运放开环增益大于60dB,单位增益带宽大于2.1GHz,输出摆幅可达1.5V。

摘要：采用一种具有较高固有精度的带隙核心结构,设计了一种应用于开关电源芯片的带数字修调的高精度带隙基准电路。通过对传统Brokaw基准结构进行改进,提出了一种新型的带隙基准核心电路,使得由于失配导致的基准电压变化从6.4mV减小到3.4μV,提高了带隙基准的固有精度。基于CSMC 0.5μm BCD工艺对电路进行仿真,结果表明,在-40℃~120℃的温度范围内,基准的温度系数为5.2×10^(-6)/℃,电源抑制比分别为-167.5dB@dc,-89.6dB@1 MHz。

摘要：提出了一种数字修调技术,该技术将数字电路与模拟电路相结合,利用数字电路可精确控制的特性,设计了一种输出修调电流与输入修调信号一一对应的失调校准技术。采用该结构设计的运算放大器通过测试失调电压的大小,并计算出相应的输入修调信号,最终能使运放的失调电压减小到V量级。

摘要：基于tsmc0.25μm CMOS工艺,设计了一个采用数字修调技术的低温漂高PSRR带隙基准源。针对带隙基准结构中不可避免的由于工艺偏差而导致输出基准电压温度特性较差的问题,通过引入额外的PTAT电流来改变流过PNP的电流,进而补偿由于工艺角变化引起的带隙基准温度系数的改变,实现低温漂基准电压源。仿真结果表明,5 V电源电压下,在-50^+150℃,基准电压温度系数为3ppm/℃,与无数字修调的带隙基准相比,温度系数减小了5 ppm/℃。低频时电源抑制比为-90 d B,整体功耗电流约为60μA。

摘要：带隙基准电压源在同一工艺的不同工艺角下,基准源的输出电压会有很大的变化.为了减少工艺角变化的影响,引入数字修调技术,对影响带隙输出基准电压的电阻阻值进行修调,以保证不同工艺角下的电压基准值可以通过修调调回理想值.基于华虹NEC 0.35μm BCD工艺的仿真结果表明,修调后的带隙基准源在-40℃-85℃范围内,各工艺角下基准电压的温度系数均小于6 ppm/℃.

摘要：采用金属氧化物半导体场效应晶体(MOSFET)管搭建门电路的方法设计了一款新型的数据修调控制电路,其主要功能是准确控制高精度温度补偿型石英晶体谐振器专用芯片的修调电路部分。该修调控制电路采用串行外设接口(SPI)传输协议进行数据传输,并采用一种新型的可擦可编程只读存储器(EEPROM),简化了EEPROM读写电路的设计复杂度,使电路具有掉电保存的功能。对所设计的电路进行了现场可编程门阵列(FPGA)验证、逻辑综合、静态时序分析、版图设计和验证。其结果表明本设计降低了电路的复杂度,节约了芯片面积,使电路控制系统的设计更为简洁。

摘要：基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种采用恒定跨导电路的高精度RC振荡器。电路采用恒定跨导偏置的电流源作为内电源,以产生足够大的驱动电压,可直接高精度控制电路总电流。同时为了更好地限制比较器中的电流,引入恒定跨导电路以产生不随温度、电源电压和工艺变化的稳定电压,并通过中间级确保电压的准确度。电路的版图面积为243μm×337.35μm。电源电压在2.5~5.5V的范围内变化,振荡电路输出频率偏差不超过1.00%。温度在-40℃~+125℃的范围内变化,输出频率误差不超过0.80%。仿真结果表明该RC振荡器具有较高的输出稳定性。

摘要：基于华虹0.18μm CMOS工艺,设计了一种无比较器的低温漂高精度RC振荡器。通过调整电流源的负温度系数电流补偿MOSFET阈值电压的温漂,保证输出频率在大温度范围内的高稳定性。通过提高电流源输出阻抗,提高振荡器的电压稳定性。采用数字修调技术矫正工艺偏差引起的频率误差。该振荡器由启动电路、CTAT电流源电路、电流镜电路、修调电路、竞争冒险消除电路和RC振荡电路六部分构成。因为没有采用比较器结构,所以在该振荡器中,不会出现由于比较器的传输延时与输入失调电压引起的非理想因素。采用Cadence进行电路仿真与验证,后仿真结果表明,该振荡器的典型频率为2 MHz,起振时间为5.1μs。在3~5 V电源电压变化范围内,频率偏差均在±0.55%以内;在-40~125℃温度范围内,输出频率随温度的变化率均在±1.2%以内,可适用于高精度的数模混合信号芯片。

摘要：设计了一款带有误差放大器和电阻修调电路的分段曲率补偿基准电压源。通过分段电流补偿降低了温度系数;采用数字修调网络和熔丝修调网络,减小了电阻随机误差;采用误差放大器提高了电源抑制比,使基准电压精度得到显著提高。电路基于XFAB 0.35μm高压CMOS工艺设计,仿真结果显示,在-40℃～125℃的温度范围内和多种工艺角下,当输出基准电压为3.0875V时,温度系数为4.1×10^-6/℃,低频电源抑制比达到-70dB。该电路的性能指标大大优于同类型产品,是一款适用于汽车电子芯片的高精度电压基准源。