摘要：针对传统斜坡补偿的PWM变换器的电流输出能力会随着补偿电流的增加而下降的缺点,设计了一种用于峰值电流模式PWM变换器的斜坡补偿电路.通过改进系统箝位电路,使箝位电压能够随着补偿电流动态变化,从而保持系统的输出电流能力恒定,减小输出电压纹波.仿真采用CSMC 0.6μm工艺,结果表明:在输入电压大于1 V、占空比大于50%时,输出电压纹波在10 mV左右,大大提高了负载能力和系统稳定性.

摘要：提出一种新颖的精确自适应斜坡补偿电路，与传统的自适应斜坡补偿电路不同，该电路不仅引入了输入、输出电压，还引入了电感电流和开关管导通阻抗的乘积，从而实现补偿量的自动调节和精确控制，提高了DC-DC转换器的带载能力和瞬态响应，同时更好地保证了系统的稳定性。基于该结构采用0.35μm CMOS工艺设计实现了一款面积为1.8＆#215;1.8 mm2的Boost DC-DC转换器芯片。测试结果表明，该转换器工作状态良好，占空比从15%～90%变化时，电感电流最大值变化量小于6.5%。

摘要：结合一款升压型直流-直流变换器,介绍了峰值电流模式中的斜坡补偿基本原理,提出了一种分段线性斜坡补偿电路。该电路提供的补偿信号在不同占空比空间具有不同的斜率,减小了斜坡补偿对系统带载能力、瞬态响应的负面影响。

摘要：基于CMOS工艺设计了一种能够自动调节补偿斜率的斜坡补偿电路。该电路可以跟随输入和输出信号的变化,相应地给出适当的斜坡补偿量,不仅使得峰值电流模式BOOST变换器可以稳定工作,而且可以避免补偿不当的现象,保证变换器有足够快的瞬态响应。仿真结果表明该电路产生的斜坡补偿信号的精度可以达到83%以上。

摘要：建立连续峰值电流型PFC Boost变换器的时变模型,动态分析快时标不稳定现象的产生,并结合电路试验,分析常规固定斜坡补偿的不足.以斜坡补偿时变模型为基础,以工频输入电流正弦化为目标,提出一种全局优化的动态时变补偿设计理论和方法.基本原理电路试验结果表明全局优化动态补偿既消除了快时标不稳定现象,又获得了单位功率因数,达到了全局补偿优化的目的.

摘要：PWM反馈技术在现代DC-DC芯片中得到了广泛的应用,在此基础上讨论了PWM模式峰值电流控制中的斜坡补偿的意义,并结合峰值电流模控制方式,提出一种分段线性斜坡补偿方法,详细的介绍了分段线性斜坡补偿电路的设计思想,并且给出了最终设计电路。该电路提供的补偿信号在不同的占空比区间具有不同的斜率。电路基于Hynix 0.5μm CMOSStandard Logic工艺设计,并经Hspice仿真验证达到设计目标。该斜坡补偿电路的优化设计避免了因过补偿而带来的系统瞬态响应慢和带载能力低等不良影响。

摘要：该文提出了一种前馈电流控制的斜坡补偿方法,将该方法引入到临界导通Boost功率因数校正(PFC)转换器的设计中,以减小零交越失真问题,改善谐波电流和频率对系统的限制。基于临界导通Boost PFC转换器的拓扑结构,理论分析了前馈电流控制斜坡补偿技术对脉冲宽度调制(PWM)信号占空比的调制作用,推导出补偿斜率与输入线电压的关系式,迫使线电压零交越点附近的电流跟随电压变化。仿真和测试结果表明,该方法可有效抑制零交越失真现象,提高系统的动态性能,尤其在高频及轻负载情况下。测得Boost PFC转换器的总谐波失真(THD)仅为3.8%,功率因数0.988,负载调整率3%,线性调整率小于1%,效率达到97.3%。有效芯片面积为1.61×1.52 mm2。

摘要：介绍了电源驱动电路在峰值电流控制模式下的工作原理,分析了占空比D>50%时驱动电路产生振荡和不稳定的原因,从理论上论述了电感电流的斜率,占空比与系统稳定性之间的关系,运用斜坡补偿的方法实现电源驱动电路在峰值电流控制模式下的稳定,给出了斜坡补偿的基本原理,设计步骤以及补偿电路,最后给出以UC3842为控制芯片的反激式变化器斜坡补偿电路设计实例。仿真与实验结果表明,斜坡补偿电路能够实现峰值电流控制开关电源在占空比D>50%时稳定工作,保证了系统的稳定性和抗干扰能力。

摘要：在分析引起电流控制模式升压型DC-DC变换器产生亚谐波振荡的因素的基础上,阐述了斜坡补偿原理,采用UMC 0.6μm BiCMOS工艺设计了相应斜坡补偿电路,HSPICE仿真结果表明所设计的斜坡补偿电路所产生的补偿信号满足斜坡补偿的要求,可用作电流控制模式升压型DC-DC变换器的斜坡补偿信号.

摘要：峰值电流模式升压型直流-直流转换器在连续导通模式下,当占空比大于50%时会出现闭环不稳,产生次谐波振荡等现象,需进行斜坡补偿。讨论了斜坡补偿的意义,并设计了一种结构简单的电流检测和斜坡补偿电路,该电流检测采用一种电流负反馈电路进行电压箝位,斜坡补偿时未采用传统的加法器对补偿斜率相加的方式,而是直接将采样电流和补偿电流在电流节点加和,解决了比较器引入附加回路对带宽的限制,瞬态响应速度较快。此电路基于Magna Chip公司HL18GFL 0.18μm工艺设计,并进行了流片。测试结果表明,斜坡斜率为3.17 mV/ns,满足系统稳定性要求。本电路面积仅为128.7μm×62.8μm,电流检测精度在5%以内。