摘要：根据掺铒光纤激光器的速率方程 ,对环形腔光纤激光器的输出特性进行了理论分析 ,得到了光纤激光器在稳态条件下阈值抽运功率、激光输出功率和斜率效率的解析表达式。利用数值模拟结果对光纤激光器的这些基本特性参量进行了分析和讨论 ,为光纤环形激光器的优化设计提供了依据。并进行了 980nm抽运的掺铒光纤激光器的实验 。

摘要：运用ＡＢＣＤ 律及自再现条件对钛宝石线性腔的折叠角进行了优化，从而大大提高了钛宝石晶体中光束束腰的耦合效率同时实验上对连续钛宝石激光器进行了研究，采用２０ｍ ｍ 长的钛宝石晶体和１０％ 输出耦合镜，并运用优化后的折叠角，最终用全线氩离子激光器泵浦的连续波钛宝石激光器的斜率效率高达３４２％ ，在泵浦功率为７７Ｗ 下。

摘要：采用PICS3D软件建立了850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)的仿真模型,通过优化量子阱有源区的阱和垒的个数、合理选取分布式布拉格反射镜(DBR)的材料以及对数,设计了一种850nm氧化限制型VCSEL。在10μm氧化孔径下,与商用的850nm氧化限制型VCSEL相比,其阈值电流从1.8mA降至1.5mA,斜率效率从0.3W/A提升到0.65W/A。

摘要：设计了一套紧凑可靠的87Rb原子干涉重力仪激光系统。该激光系统仅采用两台包含锥形放大器的半导体激光器作为光源,通过简单、巧妙的设置,实现原子干涉仪中所需的9种频率的激光。系统中包含2个电学伺服系统,用于实现激光的频率稳定和一对拉曼光的获得,其他频率激光均在2束拉曼光的基础上通过声光调制器移频实现,满足对各束光的频率和功率的控制要求。整个系统设计紧凑,性能可靠。

摘要：针对外腔窄线宽激光器应用设计了一款半导体增益芯片,分析了斜率效率和增益谱特性,由于封装后增益峰红移会造成器件输出功率下降,指出设计中芯片的增益峰需偏离激光器激射波长。通过优化量子阱结构及材料应力,提高了芯片的斜率效率。为了降低芯片自身法布里-珀罗(FP)腔谐振效应,采用弯曲波导配合磁控溅射四层增透膜工艺,使芯片出光端面的有效反射率明显降低,提高了窄线宽激光器输出波长的稳定性。所设计芯片采用1%压应变量子阱材料,量子阱厚度为7.5 nm,量子阱数量为3个,芯片波导与解理面法线呈6°夹角。通过半导体流片工艺完成掩埋结芯片制作,并进行窄线宽激光器封装及测试,实现了1550 nm波段高效稳定的窄线宽激光输出。

摘要：用改进的液相外延法生长了大功率 In Ga As P/Ga As半导体激光器 ,实验测量和理论分析都表明用该方法生长的单量子阱分别限制异质结构 ,达到了设计要求 ,阈值电流密度为 30 0 A/cm2 ,斜率效率达 1 .32 W/A。

摘要：为了实现Ⅱ神光装置的功率平衡,研究了在组合主放大器中插人角变反镜的新方案。报道了新方案在神光11装置上获得的工程研究结果,包括方案设计要点、在线性能测量与考核以及能量平衡总体实验结果。

摘要：输出功率和斜率效率是衡量光纤激光器输出特性的两个重要的参数,它们反映了光纤激光器的光—光转换能力。利用matlab仿真工具对双包层DBR掺镱(Yb3+)激光器的结构参数对激光输出特性的影响进行了数值模拟,得出光纤长度、腔镜反射率和激光器的输出特性之间的关系,并对激光器的参数选择提出了优化说明。

摘要：利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)技术,生长了AlGaInAs/AlGaAs分别限制压应变单量子阱材料,利用该材料制成3mm宽、填充因子20%的半导体激光器阵列(版型100μm/500μm,6个发光单元),通过腔面反射率设计确定了最佳反射率,采用CS载体标准封装。在输入电流8A、水冷19℃条件下测试,输出功率达到8.4W,阈值电流为1.8A,斜率效率为1.26W/A,功率转换效率为59.4%,波长为805.7nm,光谱半宽为1.8nm;输入电流12A时,输出功率达到13W,斜率效率为1.22W/A,功率转换效率为58.9%,波长为807.9nm,光谱半宽为2.0nm。

摘要：TN248.4 2003042527红色AlGaInP激光器的特性及热特性分析=Characteristicsof AlGaInP red laser diode and its thermal property analysis[刊,中]/郭伟玲(北京工业大学电子信息与控制工程学院.北京(100022)),廉鹏…∥北京工业大学学报.-2002,28(4).-423-425设计和制备了λ=680 nm的红色AlGaInP/GaInP应变量子阱激光器。制得的未镀膜20 μm脊型条形红色激光器的输出功率达到100 mW,斜率效率0.56 W/A,垂直和平行远场发散角分别为31°和9°。未镀膜4 μm深腐蚀器件的功率可达10 mW,斜率效率为0.4 W/A,峰值波长为681 nm,峰值半宽为0.5 nm。对不同腔长的器件进行了变温测试,得到器件的特征温度为120～190 K。图5参6(李士范)