摘要：本文介绍用于导电膜方块电阻（面电阻）（Ω／□）测试的手持式仪器系列中的ＸＸ－１型、ＸＸ－２型仪器。着重阐述仪器的设计思想、应用原理和关键部分的设计。该系列测试仪是导电薄膜（ＩＴＯ膜等）制造厂家和器件（液晶显示器等）制造厂家的理想仪器。

摘要：四探针法测量薄膜方块电阻具有测量精度高、稳定性好等优点,被广泛应用于薄膜器件制备、半导体微区掺杂等领域。为了提高薄膜方块电阻的测试速度及精度,以改进的范德堡法原理为基础,采用压控电流源方式输出稳定的电流,利用LabVIEW软件搭建了一套能使用交/直流测量薄膜方块电阻的测试系统。为了验证该测试系统的合理性及测试速度,选取Pt金属薄膜作为被测样品进行方块电阻的测量。测试结果表明,直流法和交流法都能精确测量薄膜方块电阻,直流法和交流法的单次测试时间分别为0378 s和0317 s,系统的测试速度优于商用280SI半导体设备。交流法测试Pt金属薄膜方块电阻的抗干扰能力比直流法强。该系统为被测样品选取合适的测试电流和测试方法提供了参考,对薄膜样品进行变温电阻率连续测量具有重要意义。

摘要：介绍用于导电薄膜方块电阻 (面电阻 ) (Ω/□ )测试的手持式仪器 .着重阐述仪器的设计思想、应用原理、关键电路和探头的设计 .该测试仪是导电薄膜 (如ITO膜 )生产厂家和器件 (液晶显示器等 )制造厂家的理想仪器 .

摘要：对测量方块电阻的双配置四探针法进行了研究,从理论上分析了该方法的优点:测量结果与探针间距无关,可使用不等间距探针头,具有自动修正边界影响的功能,不必寻找修正因子,论述了RS大小样片及边界附近的测试原理,给出了RS的计算公式。研制了基于双配置四探针法的硅片方块电阻计量标准装置,论述了该装置的软硬件设计,为校准硅片方块电阻标准样片提供了技术手段。解决了硅片方块电阻参数的量值传递问题。

摘要：设计一种用宽电极测试薄层方块电阻的方法,给出理论分析和实验结果,该方法可以作为对四探针方块电阻测试仪进行校对的原始方法,也可以开发为一个大学物理设计性实验。

摘要：为消除方块电阻不均匀性对太阳能电池板性能的影响,提出了一种通过式扩散方法。首先,设计了扩散炉结构,定义了通过式扩散方法的扩散步骤,并建立了方块电阻和扩散时间、扩散温度以及气体流量的关系的数学模型。其次,采用抽样统计方法,通过建立数学模型,计算各测试点的方块电阻及其方差,验证了该方法的有效性,为扩散工艺的改善提供借鉴。

摘要：本文基于四探针法的测量原理，设计了一种简易的导电薄膜方块电阻测试仪。该测试仪设计了一个稳定可靠的可调恒流源，并在此基础上设计了量程转换电路和显示电路，从而可以对方块电阻值在0-2×106Ω／□范围内的ITO膜进行准确测量。

摘要：改变ITO材料通常作为透明导电膜单独使用的状况,将其作为减反射膜系中的一层,能够在很大程度上增加ITO透明导电膜在可见光部分的透过率.通过使用将ITO材料置于膜系的内层和最外层两类不同的设计思想,可以使ITO透明导电膜达到相当优良的应用效果.使用低压反应离子镀方法制备了设计的两类减反射膜系,实验证明,膜层在可见光部分的透过率显著提高,剩余反射率明显下降,并得到了平均透过率为95.83%,最高透过率达到97.26%,方块电阻为13.2～24.6Ω/□的试验结果.

摘要：为了在微机电系统(microelectromechanical systems,MEMS)器件中进行热驱动,提出了设计微电阻作为热源的方法.电阻是通过微晶硼硅玻璃在硅基底上进行二次热扩散的方法制备的,利用硼离子扩散制作的电阻可以提高热源加热效率.通过数值计算,建立了制备过程中硅基底中的硼离子的空间浓度分布的理论模型,优化了二次硼扩散工艺条件.盘旋形的电阻形状设计提供了良好的温度控制和热量利用率,加热温度可以从室温一直加热至200℃.测量得到了电阻的有效结深及方块电阻,实验结果表明,电阻内部扩散区域的结深非常浅,硼离子掺杂浓度非常高,与理论模拟基本吻合.

摘要：基于虚拟仪器技术及Rymaszewski四探针双电测组合法设计了薄膜电阻率自动化测量系统.在虚拟仪器软件LabVIEW和数字量输出模块NI 9401的控制下,利用基于CD4052芯片的接口电路实现电流探针、电压探针的自动切换,并通过LabVIEW程序控制Keithley 2400数字源表实现两次电压测量;同时根据两次电压测量结果由LabVIEW程序完成范德堡修正因子和方块电阻的计算;最终实现薄膜电阻率自动测量、记录和显示.试验结果表明,所设计的自动测量系统不仅可以满足多种薄膜电阻率测量要求,而且提高了测量精度和自动化程度,同时精简了薄膜电阻率测量过程.