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检索条件"主题词=方片工艺"
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100A/1200V 方片 GTR 的研制
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《电力电子技术》1997年 第4期31卷 92-95页
作者：王正鸣 李建华 王彩琳 刘东莉西安电力电子技术研究所 
通过计算机数值计算求解半导体器件方程组，对方片达林顿ＧＴＲ体内的关键参数———轻掺杂集电区宽度进行了临界设计，最大限度地协调了击穿电压与饱和压降、电流增益、开关时间之间的矛盾。在典型的电力半导体器件工艺条件下，开发出...
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