摘要：以氮化硅粉末为主要原料,分别采用无压烧结和气压烧结的方式制备氮化硅陶瓷,研究了无压及气压烧结对氮化硅陶瓷的硬度、密度、强度及韧性的影响,研究了1300℃氧化5 h对氮化硅陶瓷抗氧化性能和表面微观形貌的影响。结果表明:采用无压及气压烧结制备的氮化硅陶瓷力学性能数值相近,但是气压烧结制备的氮化硅陶瓷性能相对稳定,同时展现出更好的断裂韧性,断裂韧性平均值为12.6 MPa·m^(1/2)。1300℃氧化5 h,Si_(3)N_4表面被氧化生成玻璃相的SiO_(2)并存在有明显裂纹。相比无压烧结,气压烧结展现出更好的抗氧化性能及高温强度性能,其氧化增重率和弯曲强度平均值分别为0.014%和304.2 MPa。

摘要：纳米银无压烧结技术作为一种新型封装互连技术,凭借烧结银层的优异性能,逐步在第三代半导体器件的封装互连领域应用和推广。目前,无压烧结银技术只适用于芯片级别小面积互连领域,在基板级别大面积互连领域存在若干瓶颈,有待深入研究。文章详细介绍了现有的小面积无压烧结纳米银互连工艺以及可靠性,在此基础上,针对大面积无压烧结银工艺所面临的瓶颈,引入一种双层印刷焊膏(双印法)的低温无压烧结工艺。采用超声扫描成像技术对烧结质量进行表征,获得双印法中使用的两层银焊膏的成分优化配比并对其烧结机理进行分析,为纳米银基板级大面积无压烧结互连提供一种可行方案。最后,展望了基板级别大面积无压烧结银工艺的发展趋势和应用前景。

摘要：本工作应用多元分析方法研究了α′-β′-Sialons-YAG 陶资的无压烧结性能.结果表明,具有不同烧结致密化类型的陶瓷试样训练点位于主成份平面的不同区域.部分最小二乘方模型建立了陶瓷组份与烧结密度的定量关系,并预报了可具有较高的致密化程度的陶瓷组份.

摘要：以MgO-Al2O3-SiO2体系作为烧结助剂,研究了氮化硅陶瓷的无压烧结。着重考察了烧结温度、保温时间以及烧结助剂用量等工艺因素对氮化硅陶瓷材料力学性能和显微结构的影响,通过工艺调整来设计材料微观结构以提高材料的力学性能。在烧结助剂质量分数为3.2％的情况下,经1 780℃,3 h无压烧结,氮化硅大都呈现长柱状β-Si3N4晶粒,具有较大的长径比,显微结构均匀。样品的相对密度达99%,抗弯强度为956.8 MPa,硬度HRA为93,断裂韧性为6.1 MPa·m1/3。具有较大长径比晶粒构成的显微结构是该材料表现较高力学性能的原因。

摘要：以钇铝石榴石-YAG为烧结助剂,通过无压烧结制备了ZrB2-SiC复相陶瓷。研究了烧结助剂含量对烧结材料力学性能和显微结构的影响,材料的显微结构由扫描电镜SEM及其能谱分析EDS测定。研究结果表明,烧结助剂(YAG)和原料中的杂质形成玻璃相填充在晶界上,显著促进了硼化锆基ZrB2-SiC复相陶瓷的致密化。

摘要：本文将Fe粉,Cu Sn15液相添加到自行制备的超细合金粉A中通过无压烧结制备金刚石工具的胎体试样块,研究了不同含量的Fe粉,Cu Sn15液相对胎体的相对密度、硬度及抗弯强度的影响。结果表明:在烧结温度为875℃、保温时间为60 min的无压烧结工艺下,添加不同含量的Cu Sn15液相及Fe粉对胎体的烧结力学性能有着重要的影响。含Cu液相的最佳添加量为7%(本文所有含量为质量分数,下同),Fe粉的最佳添加量为10%,此时,胎体的相对密度为98.46%,硬度(HRB)为101.5,抗弯强度为1 103.82 MPa。

摘要：本文选用ＭｇＯ—Ａｌ２Ｏ３作为复合添加剂，采用无压烧结，设计Ｓｉ３Ｎ４一ＭｇＯ—Ａｌ２Ｏ３系烧结体、Ｓｉ３Ｎ４—ＳｉＣ—ＭｇＯ—Ａｌ２Ｏ３系烧结体，研究各种配方在不同成型压力不同烧结条件下烧结体的性能，测定室温抗折强度、体积密度、体积变化和气孔率。通过Ｘ射线衍射分析鉴定烧结体的物相结构，从而确定了最佳工艺范围。

摘要：用沉淀法包裹微米级SiC颗粒,通过常压、埋烧制备Al_2O_3/SiC纳米复合陶瓷。通过XRD、TG和 SEM等分析了煅烧和烧结过程中相组成的变化、烧成收缩和显微结构。结果表明:利用SiC 粉埋烧及碳粉制造还原气氛,含8wt％SiC(平均粒径为5mm)的复合粉末经800℃煅烧、成型,试样于1550℃,2h烧结,可制备Al_2O_3/SiC纳米复合陶瓷,其相对体积密度达95.2％,在烧结过程中由SiC氧化形成的无定形SiO_2及与基质氧化铝反应形成的莫来石前躯体可大大促进烧结。

摘要：选择自主研制的预合金粉TB05作为主要结合剂设计初始无压烧结配方A,并通过调节Fe、Ni添加比例设计了配方组合A1~A4。通过对比分析各配方的无压烧结致密度、抗弯强度、断口显微形貌,研究了Ni含量对无压烧结金刚石刀头层间结合的影响。实验结果表明,虽然A1~A4配方体系下Ni含量达到8wt%时具有最佳抗弯强度1261.43MPa,但分层钻头试样中Ni含量不高于5wt%时具有更高的抗折性能,最高抗折弯矩达到21N·m。

摘要：在以４％Ａｌ２Ｏ３（以质量计，下同）作为烧结助剂的Ｓｉ３Ｎ４基体中分别添加５％，１０％，２０％，３０％的３ＹＺｒＯ２，经１８００℃无压烧结。其室温断裂韧性达到５．２～７．６ＭＰａ·ｍ１／２，是基体材料的２．４～３．５倍。室温抗弯强度达４２０～６１０ＭＰａ，是基体材料的１．６～２．３倍。高温（１０００℃）抗弯强度较基体材料略有增加，达到３３４～３８２ＭＰａ。通过ＳＥＭ观察和ＸＲＤ分析，探讨了３ＹＺｒＯ２对Ｓｉ３Ｎ４基体的增韧机理。