摘要：传感器的无引线封装技术取消了传统的引线键合连接,因而在极端环境下,具有耐高温、抗冲击能力强等特点,有广阔的发展前景。但在常规无引线封装结构中,芯片与玻璃基座烧结固连,会受到高温热固耦合下的热应力影响,进而降低测量精度。针对这一问题,以压阻式压力传感器芯片作为封装对象,提出了一种芯片悬空型无引线封装结构,对其封装材料的选择进行了研究并对整体热应力分布及大小进行了仿真分析;通过实验探究了封装结构中金属电极-导电银浆-金属插针电学互连通道在高温环境下的电学稳定性和力学强度;对采用该封装结构的压力传感器样品进行了输出和温度性能测试。结果表明,该封装结构整体所受热应力显著低于常规结构;电学互连通道的接触电阻远小于芯片压敏电阻,高低温循环条件下其阻值变化小于14Ω;高低温冲击后其拉伸破坏拉力在1.2 N以上;传感器样品输出电压线性度良好,在25~225℃内最大热零点漂移小于0.01%FS/℃,最大热满量程输出漂移小于0.20%FS/℃,相比于常规无引线封装结构显著减小了传感器热零点漂移,验证了该封装结构的可行性,为解决常规无引线封装结构中芯片热应力自释放问题提供了一个新的研究思路。

摘要：针对高温压力传感器有引线封装在恶劣环境下的弊端,本文对无引线封装进行研究。首先,对无引线封装结构进行设计,并明确了适用无引线封装的高温压力敏感芯片结构;其次,研究了耐高温低应力气密封装工艺、低应力黏片工艺、无引线电气互联工艺,并实现工艺兼容。最后,将该无引线封装结构应用于高温压力敏感芯片,评估无引线封装效果。经测试,无引线封装结构漏率为10E-8 Pa·L/s,工作温度达300℃。本文的研究将拓展高温压力传感器应用领域,提高传感器恶劣环境的适应性及可靠性。

摘要：在SOI晶圆材料的基础上,设计了压力敏感结构,提高了传感器的高温稳定性;采用敏感芯片背孔引线技术,将硅敏感芯片的正面和硼玻璃进行气密性阳极键合,通过在硼玻璃对应位置加工电极连接孔,实现芯片电极与外部管脚的电气连接,形成无引线封装结构;利用ANSYS软件对敏感芯片进行了力学仿真,对高温敏感芯体进行了热应力分析,完成了无引线封装结构的优化及制作。通过性能测试,该传感器测量范围为0~0.2 MPa,灵敏度为55.0 m V/MPa,非线性误差小于0.2%。

摘要：研究的压力敏感芯片利用单晶硅的压阻效应原理制成；采用绝缘层上硅（S01）材料取消了敏感电阻之间的pn结，有效减小了漏电，提高了传感器的稳定性；用多层复合电极替代传统的铝电极，并应用高掺杂点电极技术，提高了传感器使用温度。封装时，将硅敏感芯片的正面与硼硅玻璃进行对准气密静电键合；在硼硅玻璃的相应位置加工引线孔，将芯片电极和管壳管脚用烧结的方法实现电连接，形成无引线封装结构。采用无油封装方法，避免了含油封装中硅油耐温能力差的问题。对高温压力敏感芯体结构进行了热应力分析，并对无引线封装方法进行了研究。对研制的无引线封装高温压力传感器进行了性能测试。测试结果与设计相符，其中传感器的测量范围为0—0．7MPa，非线性优于0．2％FS，工作温度上限可达450cC。

摘要：与现行的US8封装相比,由位于美国缅因州南波特兰的FairchildSemiconductor公司开发的TinyLogicMicroPak8八端子芯片规模无引线封装系统有望节省60%的占用空间,并可维持0.5mm的触点密度。这种一开始在该公司的UHS低压逻辑器件系列(包括1位、2位和3位低压及低功率逻辑器件)中得到大量应用的封装使得设计人员能够在采用现有的元件安装工艺的情况下改进产品的性能并实现新型设计。该封装的占位面积为1.6mm×1.6mm,并在其外围采用了0.2mm×0.3mm的LGA接触衬垫(contactpad),这些衬垫采用了一种“衬底上芯片”(chip-on-substrate)的连接方式,以确保在苛刻的环境条件下拥有坚固而可靠的连接。较大的接触面积还为在焊盘图形上进行焊接接头的检验创造了条件。该封装的导热衬底和通孔设计提供了较低的θJ-A(结点至环境温度热阻),因而与有引线的单门器件相比散热性能有所提高。该公司即将推出的多款产品(包括1.0～3.6V逻辑芯片产品线)也计划采用这种封装。如需了解更多的信息,请与FairchildSemiconductor公司的LouiseMerriman联系,电...

摘要：Vishay ***．推出新款LCEMI／ESD滤波器阵列．包括4通道的VEM145LA-HNH和8通道的VEMI85LA—HGK．在超级紧凑的LLP1713和LU玛313无引线封装内提供了小于1dB的输入损耗。