摘要：分析了目前常用的高频生成器的电路结构及其优缺点,提出了一种新的高频生成器电路结构。该电路完全由数字逻辑门构成,结构简单;同时,倍频系数可达10以上;在参考时钟频率为100 MHz时,可以实现1 GHz以上输出时钟的高频输出。

摘要：文中频率为4 MHz的时钟产生电路分别采用了环形振荡器、基于门电路的RC振荡器和基于比较器的方波发生器三种不同结构来实现。在中芯国际0.18μmCMOS工艺下,采用Spectre仿真软件分别对三种形式的振荡器进行性能仿真。通过对比它们的精度、功耗以及芯片的面积得出不同结构的优缺点,最终折中选取环形振荡器结构作为时钟产生电路。

摘要：提出了一种基于谐波注入锁定数控环形振荡器的时钟产生电路。采用注入锁定技术,极大地抑制了环形振荡器的相位噪声。在频率调谐环路关断的情况下,数控式振荡器可以正常工作,与需要一直工作的锁相环相比,大大节省了功耗。分析了电路的参考杂散性能。在65nm CMOS工艺下进行流片测试,芯片的面积约为0.2mm^2。测试结果表明,设计的时钟产生电路工作在600MHz时,1MHz频偏处的相位噪声为-132dBc/Hz,在1V的电源电压下仅消耗了5mA的电流。

摘要：本文介绍了千兆以太网卡芯片时钟产生电路的设计,包括体系结构设计、系统设计与仿真、电路设计与仿真,及版图设计。该时钟产生电路的工作电压为1.5V,经过TSMC0.13μm1P8MCMOS工艺验证,表明该电路能够满足千兆以太网卡芯片的要求。本文介绍了千兆以太网卡芯片时钟产生电路的设计,包括体系结构设计、系统设计与仿真、电路设计与仿真,以及版图设计。该时钟产生电路的工作电压为1.5V,经过TSMC0.13μm1P8MCMOS工艺验证,表明该电路能够满足千兆以太网卡芯片的要求。

摘要：介绍了PCIExpress接口时钟产生电路的设计,包括体系结构设计、系统设计与仿真、电路设计与仿真、版图设计。该时钟产生电路经过TSMC0.13μm1P8MCMOS工艺验证,工作电压为1.5V。结果表明该时钟产生电路能够满足PCIExpress接口的要求。

摘要：给出了基于 0 .2 um Ga As PHEMT工艺的 10 GHz单片频率综合器的系统模型、电路结构、性能分析、版图设计以及仿真结果 ,并简单介绍了工艺特点。整个芯片由压控振荡器、分频器、鉴相器以及低通滤波器组成。在 ADS软件下的仿真结果表明 :芯片采用 3 .3 V单电源供电 ,总功耗为 40 0 m W,输出功率为 -15 d Bm,工作频率 9.5 GHz～ 11.0 GHz,相位噪声 -95 d Bc/Hz@1MHz,输出信号的峰峰值抖动约为 2 ps。整个芯片面积为 1.2 5× 1.3 5 mm2 。

摘要：通过数字逻辑校准电路模块和电流镜阵列对环形振荡器的输入电流及充放电电流进行调整与控制,设计了一种频率为2MHz的高精度时钟产生电路,其具有时钟输出稳定性高、校准速度快,且电路结构简单的特点。采用SMIC 0.18μm工艺,在不同的工艺角及温度下对本电路进行了仿真,结果表明在以上各种仿真情况下时钟频率误差最大在±1%以内,且从开始校准到校准完成,最大所需时间不超过400μs。

摘要：设计了一种适合射频电子标签的高精度时钟产生电路,在分析影响输出频率稳定性各因素的基础上,针对标签电路低功耗宽工作环境的要求,提出一种全CMOS结构带隙基准做偏置的电流受限型环形振荡器。全MOS自偏置PTAT迁移率和阈值电压互补偿带隙基准源的设计,使时钟电路受电源电压和温度的影响极小。全电路采用TSMC 0.18μmCMOS工艺实现。HSpice仿真结果表明:电源电压为1.2~2 V,温度从-10^+70℃变化时,带隙基准温度系数和电源电压抑制比分别为12 ppm/℃和59 dB,时钟稳定度在±2.5%以内,电路平均功耗仅为4μw。

摘要：给出了一个采用0.6μm CMOS工艺设计的改进结构环形振荡器,电路由RC充放电回路、施密特单元以及反相延时单元组成,结构简单,工作频率受集成电路工艺参数影响小。该电路带有使能控制端,并且通过调节少量的外部元件可以改变电路的振荡频率,适用作各类中/低频数字集成电路中的时钟产生电路。分析了改进结构环形振荡器的工作原理,给出了Hspice软件环境下电路仿真方法。电路流片封装后的实际测试结果表明,用该结构的环形振荡器作为时钟产生电路,工作稳定,满足了系统工作要求。

摘要：设计了一个基于锁相环结构、可应用于SOC设计的时钟产生模块。电路输出频率在400～800MHz,使用SMIC0.18μm CMOS工艺进行流片。芯片核心模块工作电压为1.8V和3.3V。根据Hajimi关于VCO中抖动(jitter)的论述,为了降低输出抖动,采用一种全差动、满振幅结构的振荡器;同时,通过选取合适的偏置电流,实现对环路带宽的温度补偿。流片后测试结果为:输出频率范围400～800MHz,输入频率40～200MHz;在输出频率为800MHz时,功耗小于23mA,周期抖动峰峰值为62.5ps,均方根(rms)值为13.1ps,芯片面积0.6mm2。