摘要：文中采用28 nm CMOS工艺,设计了一款应用于半速率CDR电路中的相位插值器。该插值器采用锁相环提供的正交参考时钟,通过编码控制的DAC电流源调整电流权重控制输出相位,一个周期内可实现128次相位插值。为了提高接收器在多通道、多协议的性能,提出了输入时钟整形电路对斜率进行调节,提高了线性度。仿真结果表明,插值器在6.25 GHz工作频率下线性度良好,微分非线性(DNL)最大不超过1 LSB,积分非线性(INL)最大不超过2 LSB,实现了高线性度、宽频率范围的设计目标。

摘要：介绍了一种使用0.2μmGaAsPHEMT工艺实现的、可用于万兆以太网10GBASE-R标准的时钟恢复电路预处理模块的设计研究。电路核心部分由微分电路和选频电路组成。使用ADS软件对电路进行仿真,仿真结果表明该电路能满足实际应用。最后给出了在Cadence软件下画出的电路版图。

摘要：本文在0.25μm CMOS工艺下设计实现了一种可用于STM-16标准时钟恢复电路的锁相环模块.在理论分析基础上,分别采用Alexander结构、改进型电流舵开关技术、Maneatis环形振荡器结构设计了锁相环模块中的鉴相器(PD)、电荷泵和压控振荡器电路,并完成了整个锁相环模块的优化.经Hspice仿真实验,设计实现的锁相环中心频率为2.5 025 GHz,在3.3V电源电压下的功耗为40 mW,环路带宽为60 MHz,锁定时间约为640 ns,满足性能设计需求,并具有低功耗、低电源电压、低噪声等特点,研究结果对于光纤通信系统、FM解调器、立体声解调器、声音检测器、频率分析仪和其他很多应用都要重要价值.

摘要：本文提出了一种适用于突发PSK信号解调的时钟恢复电路。重点介绍了时钟恢复电路的原理和算法。经实验验证，完全可以应用于突发PSK信号解调的实际电路设计中。

摘要：设计采用0.35μm CMOS工艺来实现一款CMOS2.5 Gb/s时钟恢复电路。由于0.35μm CMOS工艺的限制,采用了预处理电路加锁相环的电路结构。这种电路结构有利于单片集成且工作速度高。预处理器主要有延迟单元、乘法器和窄带滤波电路构成,可以从NRZ数据中得到时钟信号。锁相环采用二阶的模拟锁相环结构,鉴相器采用Gilbert乘法器,环路滤波器采用无源滤波器,VCO采用3级环形振荡器。

摘要：提出一种利用全数字锁相环实现从随机的以太网信号中提取时钟的方法。由于采用鉴频、鉴相并置方法,同时把数字滤波器融入其中,采用小数分频器构成数控振荡器,从随机以太网信号中恢复E1时钟信号。经硬件实验证实,电路的性能指标完全可以满足ITU-T的有关标准。该电路结构简单,易于集成到ASIC中去,有较强的实用性,便于推广应用。

摘要：时钟恢复电路（ CDR）是高速串行通讯中的重要模块,对通讯的稳定性和误码率有直接的影响,易受PVT影响。PCIE,RapidIO等高速串行通讯协议中又对CDR的性能指标分别有数据抖动特性及抖动容限的容忍范围等严格定义。由于单一协议和速率设计的CDR电路在电路应用、验证测试和集成的复杂度较大,多协议兼容是技术趋势。文中设计实现了一种多协议兼容的双环时钟恢复电路,采用集成自适应带宽的锁相环结构PI插相器,配合数字控制、相位插值的方式实现。经流片验证,在1~3.125 Gbps速率范围内抖动容限和频率偏移等指标均满足协议标准值要求,误码率小于1E-12,满足FC（FC-PI-4）、PCIE（1.1）和Rapid IO（1.3）的协议要求,工作温度范围为-55~125益。目前该电路已成功应用于PCIE、FC和RapidIO等多款SerDes中,并集成应用于多款高性能SoC芯片中。

摘要：提出了一种针对HDLC码流的高精度的时钟恢复电路。方案通过FPGA的可编程模块化设计,包含了小数分频、数据边沿采样、硬件倍频PLL及HDLC标志码脉宽测量等关键技术,实现从HDLC数据码流中恢复高精度时钟。经硬件实验验证,性能指标优秀,有较强的实用性,应用广泛。

摘要：文中给出了一个基于压控可变延迟线的电荷泵锁相环电路的设计 ,用于时钟恢复电路中采样时钟沿的定位 ,它的工作不受环境和工艺的影响 ,保证了采集数据的准确性。应用于延迟线中的改进的延迟单元有效地减小了相位抖动 ,环路滤波电路的设计避免了电荷重新分配引入的影响。电路采用 0 .35μm TSMC的 MOS工艺 ,在 3.3V的低电压下工作 ,模拟得到在最坏情况下 ,单个延迟模块的相位抖动为 2 0 ps,输出静态相位误差仅

摘要：用0.25μmCMOS工艺实现一个复杂的高集成度的2.5Gb/s单片时钟数据恢复与1∶4分接集成电路.对应于2.5Gb/s的PRBS数据(231-1),恢复并分频后的625MHz时钟的相位噪声为-106.26dBc/Hz@100kHz,同时2.5Gb/s的PRBS数据分接出4路625Mb/s数据.芯片面积仅为0.97mm×0.97mm,电源电压3.3V时核心功耗为550mW.