摘要：对第一代开关电流存储单元产生的时钟馈通误差做了合理的近似分析,设计了一种高性能开关电流存储单元。该电路仅在原存储单元的基础上增加了一个MOS管,使误差降为原来的4%,是同类研究中最简单的结构。用它构造的双线性积分器性能良好,可作为滤波器、Σ-△调制器等系统的基本模块。

摘要：基于0.18-μm 1.8VCMOS标准工艺,设计了一个高精度开关电流存储单元。通过设置存储晶体管工作于线性区,并结合虚拟开关等技术,降低了由阈值电压失配和时钟馈通所产生的谐波失真,有效消除了增益误差和漂移误差。利用Spectre仿真器,对版图进行后仿真验证。当输入信号频率为200kHz、幅度为5μA、采样频率为5MHz时,误差仅为0.5%,输入信号幅度低至1μA时,误差依然低于1%。仿真结果表明,电路具有高精度,可作为滤波器、Σ-Δ调制器等系统的基本模块。

摘要：对开关电流(SI)电路中的时钟馈通误差进行了详细的理论分析,设计了一种低电压下工作的共源共栅甲乙类(classAB)开关电流存储单元。该电路采用上下两个开关同时采样,使得钟馈误差相互抵消,误差降为原来的5%,采样频率高达5MHz。并用此单元构造了双线性积分器。采用0.18μm工艺进行HSPICE仿真,仿真结果表明所设计的积分器性能良好,接近理想结果。

摘要：利用一种新技术,在低压(1.8 V)条件下,设计了一种高性能的开关电流(SI)存储单元电路。该电路通过在基本存储单元基础上增加一个电压反转跟随器电路(FVF),从存储晶体管的输入端直接消除时钟馈通(CFT)误差电压,从而阻止了电流误差的产生,使得输出端的CFT误差电流降为原来的6%,并通过Hspice给出了仿真结果。结果表明所设计的电路方案正确有效。

摘要：开关电流技术(SI)是一种可取代开关电容技术的数据采样技术。首先介绍了SI技术,然后以SI电路基本单元为例,分析了SI电路存在的各种误差,并针对这些误差提出了解决方法;最后提出了一种新的改进电路。实验结果表明,采用TSMC0.35μm工艺参数和Hspice仿真电路,所设计的电路误差小,输出波形理想,从而可达到预期的目的。