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TFT-LCD产业中GOA单元不良的研究: 收藏
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引用; 《液晶与显示》2015年第3期30卷 387-392页; 作者：张小祥颉芳霞刘正郭总杰袁剑峰邵喜斌北京京东方显示技术有限公司北京100176 江南大学江苏省食品先进制造装备技术重点实验室江苏无锡214122; 通过对TFT-LCD制造过程中GOA单元不良原因的研究,提出了改善GOA单元不良的方法。分析表明静电放电(ESD)的发生在于电容瞬间释放的电流过大,导致过细的金属线熔化;沟道桥接和开裂的发生在于显影效应,显影方向以及图案密度,导致局部区域...; 通过对TFT-LCD制造过程中GOA单元不良原因的研究,提出了改善GOA单元不良的方法。分析表明静电放电(ESD)的发生在于电容瞬间释放的电流过大,导致过细的金属线熔化;沟道桥接和开裂的发生在于显影效应,显影方向以及图案密度,导致局部区域沟道光刻胶厚度偏厚和偏薄。采用静电分散释放的连线设计,ESD的发生率从5.4%降低到0.04%以下。GOA单元两侧增加测试图样(Dummy Pattern)的设计防止沟道桥接的发生,减压干燥(VCD)抽气曲线的调整和软烘(Soft Bake)底部温度的优化措施防止沟道开裂的发生,沟道桥接和开裂的发生率从13.4%降低到1.22%以下。; 来源：详细信息评论

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