摘要：根据CdZnTe等Ⅱ Ⅵ族化合物半导体晶体生长的基本原理和工艺要求 ,设计制造了坩埚加速旋转 垂直下降法 (ACRT VBM)晶体生长系统。本文介绍了该系统设计所考虑的基本问题和元器件的选择 ,给出了系统的基本结构。晶体生长炉的温度控制精度为± 1℃ ,系统的速度均匀度为± 0 .0 0 15mm/h。该系统的性能指标满足生长直径30mm的CdZnTe晶体的要求。

摘要：主要介绍一种TDR系列晶体生长设备速度跑合系统装置的开发目的、设计参数、装置结构以及技术特点。本装置为提高工程施工安装质量和全面落实企业产品按时,质量合格出厂的要求,提供了一种安全、可行的检测和跑合调试手段,以满足企业和市场的需要。

摘要：碲锌镉晶体生长质量与生长条件有着密切的关系。实时检测晶体生长参数,改进生长条件是生长高质量晶体的关键。为此设计了一个参数监控系统,实现对碲锌镉晶体生长过程参数的实时监控、记录、存储和显示。通过对各控制参数数据分析和比较,找到了碲锌镉单晶体生长缺陷的根源,改进了生长设备,制备出了高质量的碲锌镉单晶体。

摘要：硅单晶生长设备——单晶炉是一种高技术含量的电子专用设备,由于太阳能光伏产业的飞速发展,设备的需求量不断扩大,对设备的性能要求更高,进行设备开发设计时不但要了解硅单晶生长的工艺要求,还要掌握机械、电子、计算机、真空、热动力学等方面的专业知识,只有将相关先进技术有机地集成在一起,才能够形成先进合理、可靠实用的单晶炉设备。

摘要：中国科学院上海硅酸盐研究所中试生产一线科技人员在成功制备出第一根650mra长BGO毛坯晶体的基础上，通过对晶体生长设备的创新设计和工艺的持续优化，实现了超长BGO晶体产业化制备技术的重大突破。