摘要：普渡大学的研究人员开发出一项全新的晶体管技术,有望改善计算机及智能移动电话等电子产品性能。研究人员采用了全新场效应晶体管设计方案,有望使器件具备比传统场效应晶体管更加优越的开关性能,为研发下一代纳米器件奠定基础。

摘要：据物理学家组织网5月5日报道，德国维尔斯特拉斯应用分析和随机研究所和马克思·波恩研究所的科学家携手，提出了一种新型全光晶体管的设计方案，即使用一束光脉冲控制另一束，形成完全由光控制的“光路”。最新设计解决了该领域目前面临的多道难题，相关论文发表在最近出版的《物理评论快报》上。

摘要：《华尔街日报》近日公布2011年“科技创新奖”，英特尔的3．D三栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3．D三栅极晶体管结构代表着从2．D平面晶体管结构的根本性转变。这项革命性成果，其关键在于英特尔能够把全新的3．D三栅极晶体管设计投入批量生产，开启了摩尔定律的又—个新时代，并且为各种类型的设备的下一代创新打开了大门。

摘要：10月21日，《华尔街日报》近日公布2011年“科技创新奖”，英特尔的3-D三栅极晶体管设计获得半导体类别创新大奖。英特尔的3-D三栅极品体管结构代表着从2-D平面晶体管结构的根本性转变。

摘要：法国普瓦提埃大学和国家科学研究院（CNRS）的研究人员设计出一种能像电子晶体管控制电流那样控制热流的量子热晶体管，可用于从发电站及其它能源系统中收集并循环利用余热。据悉，虽然这不是世界上第一个热晶体管，但是是世界上第一个由量子物体制造的热晶体管，而其它热晶体管多采用宏观材料如固体或相变材料制造。

摘要：提出了一种按温度比例因子设计低温双极晶体管的设计规则。在考虑双极晶体管低温效应的前提下,着重分析了双极晶体管发射区和基区的浓度及宽度在低温下的变化情况。结合按温度比例子变化后任何特定温度下的双极晶体管电流增益和截止频率的优化结果,给出了这些参数在按温度比例因子规则设计时温度比例因子的变化参数。

摘要：以晶体管设计为例，将遗传算法应用在半导体器件设计领域从而替代传统的设计方法，即给出输入电学设计要求，便能在计算机模拟运算后输出满足要求的多组参数，从而为实现半导体器件的计算机辅助设计迈出一大步。

摘要：跨越，超越障碍或时间界限，跨入全新的境地和时代。在英特尔Tick—Tock的路线图中，Tick代表的制程变革标志处理器跨越新时代的响声，如同时钟“滴答”一样精准，虽是Tick—Tock周而复始，但我们依然期待这一刻时钟的响起，盼望英特尔带来新的惊喜。全新IWBridge处理器的亮相揭开精彩的Tick时刻，22nm制程和三栅极3D晶体管设计的引入，将英特尔智能酷睿处理器引入效能平衡时代。

摘要：晶体管的开关特性之前我们讨论过如何使用晶体管设计射频放大器的案例，在考虑使用晶体管设计开关之前，有必要分析一下两者的不同。无论是什么样的晶体管，用于开关和用于放大器的设计时都工作在不同的区域中。以场效应管为例：用于放大器时候．工作于恒流区，需要直流偏置，而用作开关时则工作于截止区和可变电阻区（在两者间切换），不需要直流偏置，这也是两者最大的区别。晶体管的3个区的划分见图1。场效应管作为开关使用时的原理非常简单，我们只需要控制其栅极电压即可。