摘要：Intel在微处理器晶体管设计上取得重大突破，沿用50多年的传统硅晶体管将实现3D架构．一款名为Tri-Gate的晶体管技术得到实现。

摘要：英特尔公司在基础晶体管设计方面取得了一项最重大突破：采用两种完全不同以往的晶体管材料来构建45纳米晶体管的绝缘“墙”和切换“门”。

摘要：美国英特尔公司2011年5月4日宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破。英特尔将推出被称为三栅极（Tri—Gate）的革命性3－D晶体管设计，并将批量投产研发代号IvyBridge的22nm英特尔芯片。

摘要：英特尔公司宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破。英特尔将推出被称为三栅极（Tn—Gatel的革命性3-D晶体管设计，并将批量投产研发代号为IvyBridge的22nm英特尔芯片。

摘要：Audio AlchemyPPA-11唱头放大器的RIAA均衡以及放大级，采用全分立式超低噪声的FET场效应晶体管设计，弃用低成本集成电路，将黑胶唱片上精微的片槽转化为极其像真的音乐。具备严苛唱片发烧友所需特点；无段调整输入阻抗、动圈／动磁增益切换、XLR平衡与RCA单端输出。

摘要：英特尔公司宣布在晶体管发展上取得了革命性的重大突破。晶体管是现代电子设备的微小的元件。自50多年前硅晶体管发明以来,3-D结构晶体管史无前例将首次投入批量生产。英特尔将推出被称为三栅极（Tri-Gate）的革命性3-D晶体管设计（英特尔曾在2002年首次披露）,并将批量投产研发代号IvyBridge的22纳米英特尔芯片。1纳米是1米的十亿分之一。

摘要：2000年，半导体行业开始悄无声息地开始生产“纳米芯片”，这是器件线宽小于100nm的芯片，也就是用栅宽小于100nm的晶体管设计出的电路芯片，由此标志着第一代纳米芯片的诞生，现在市面上集成电路的栅宽都不足50nm，在今天普通台式电脑中，可以见到这些器件。在栅极宽度减少到100nm以下时，晶体管的速度和数量都得到了显著的增长。

摘要：Microsemi Corporation宣布，推出一个达到最新技术水平的大功率晶体管，可应用于超高频长脉冲调制雷达。型号为0405—500L的双极型晶体管设计用于400～450MHz的UHF频率范围。这种型号的高性能、共发射极、C类、大功率晶体管提供500W峰值功率、50％集电极效率的独一无二的性能；器件采用完全密封的封装，能给长脉冲调制雷达及远程雷达应用提供最好的可靠性。

摘要：最近,我拜访了曾经在中国科学院政策研究室工作的高锴先生,从他那里了解到一个耐人寻味的故事。故事的主人公名吴锡九,1932年出生于上海,40年代后期和高锴同在南洋模范中学读书。1949年,吴锡九留学美国,到伯克利加州大学攻读电子电信,以电子系第一名毕业,到麻省理工学院攻读硕士,成为第一批参加晶体管设计和制造的科技人员。因为父亲曾叮咛他学成回归,报效祖国,又受到钱学森影响。

摘要：2007年1月29日，英特尔公司宣布在基础晶体管设计方面取得了一个最重大的突破，采用两种完全不同以往的晶体管材料来构建45nm晶体管的绝缘“墙”和切换“门”。在下一代英特尔。酷睿TM2双核、英特尔一酷睿TM2四核以及英特尔。至强。系列多核处理器中，将置人数以亿计的这种微观晶体管或开关。英特尔公司同期宣布已有5种早期版本的产品正在运行，这是公司计划中的15款45nm处理器产品的第一批。