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检索条件"主题词=晶格匹配"
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晶格匹配的异质结构用于电催化水解离制氢能
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《Chinese Journal of Catalysis》2023年 第10期53卷 31-33页
作者:宋少青宁波工程学院新能源学院浙江宁波330013 
氢气具有高燃烧热、无污染等特点,是替代化石燃料的理想能源.电催化水分解为高纯度氢气被认为是一种很有前途的方法.电催化分解水的关键是开发高性能、低成本的电催化剂.铂基电催化剂在酸性和碱性介质中都表现出良好的电催化活性,但经...
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基于晶格匹配Pt-Co-ZnO三元界面催化剂设计及其催化CO_(2)加氢性能
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《石油炼制与化工》2024年 第2期55卷 144-152页
作者:万雅琴 张煜华 李金林 王立中南民族大学化学与材料科学学院催化转化与能源材料化学教育部重点实验室催化材料科学湖北省重点实验室武汉430074 
针对精准构建多组分固体催化剂纳米多元界面的难题,鉴于六方晶型氧化亚钴(hcp-CoO)与氧化锌(ZnO)具有超高的晶格匹配度(大于99.8%),采用晶格匹配策略定向构建Pt-Co-ZnO三元界面,设计合成了三元催化剂Pt-ZnO@CoO,并利用扫描电镜(SEM)、...
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竖直液相外延炉生长Pb_(1-x)Sn_xTe/PbTe_(1-y)Se_y晶格匹配异质结激光器
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《中国激光》1989年 第6期16卷 321-323页
作者:王海龙 沈玉华 曹根娣 张位在 朱筱春 陈鹤明中国科学院上海光机所 
本文根据Vagard定律,得到了Pb_(1-x)Sn_xTe/PbTe_(1-y)Se_y异质结晶格匹配条件,设计了生长参数,首次采用竖直液相外延炉生长了Pb_(1-x)Sn_xTe/PbTe_(1-y)Se_y品格匹配异质结,并制成了二极管激光器。
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与GaN晶格匹配的InAlN分子束外延生长及其性能
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《半导体技术》2016年 第7期41卷 532-538页
作者:顾俊 吴渊渊 杨文献 陆书龙 罗向东南通大学理学院江苏苏州215125 南通大学江苏ASIC设计重点实验室江苏南通226019 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室江苏苏州215125 
采用等离子体辅助的分子束外延(MBE)方法制备了InAlN外延薄膜,探讨了InAlN材料In原子数分数和生长条件的关系,以及等效束流强度(BEP)对材料质量的影响。绘制了InAlN关于温度与In和Al BEP的生长相图,经过优化后生长了与GaN晶格匹配的InAl...
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无表面活性剂定向一维/二维NiZn-LDH异质结实现100%高效选择性光催化CO_(2)还原
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《Science China Materials》2023年 第6期66卷 2308-2316页
作者:张庭士 赵鑫 林铭雄 杨碧霞 颜家伟 庄赞勇 于岩College of Materials Science and EngineeringFuzhou UniversityFuzhou 350108China Key Laboratory of Advanced Materials TechnologiesFuzhou UniversityFuzhou 350108China 
构建高度定向、有序的一维/二维异质结催化材料是解决能源和环境危机的重要途径.本工作报道了在不添加表面活性剂条件下,纳米层状双金属氢氧化物(NiZn-LDHs)可以在生长过程中自发调控其生长晶面,并通过一种非经典取向结合生长机制,形成...
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Si/Si_(1-x)Ge_x HEMT结构设计的研究
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《功能材料与器件学报》2001年 第2期7卷 162-166页
作者:胡英 周晓华 徐毓龙 赵祖军西安电子科技大学技术物理学院西安710071 
晶格匹配及能带阶跃角度讨论了 n沟 Si /Si1- xGex HEMT结构的设计原理及方法, 对Ismail器件进行了分析和计算,所得二维电子气 (2DEG)的 ns与实验结果基本相符,并利用该设计 理论对 Ismail器件的异质结结构进行了优化改进,提高...
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Si/Si_(1-x)Ge_x HEMT异质结层的结构与二维电子气密度的关系
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《半导体情报》2001年 第2期38卷 46-49页
作者:胡英 周晓华 徐毓龙 赵祖军西安电子科技大学技术物理学院陕西西安710071 
晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个 n沟 Si/Si1-x Gex HEMT异质结层的原理及方法 ,对 ***器件进行了分析和计算 ,所得 2 DEG的 ns与实验结果基本相符 ,并利用该设计理论对 K. Ismail器件的异质结结构进行了优化改进 ,提高了器件 2...
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荧光衬底可望用于生产无磷光体LED
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《现代材料动态》2006年 第2期 3-4页
作者:邓志杰(摘译) 
由于GaN衬底缺乏,难以生产高质量GaN外延材料。解决这一问题的较好办法之一是使用ZnO衬底,这是因为:ZnO衬底与外延层之间有较好的晶格匹配而且它可设计出新的器件结构。ZnO与GaN、InGaN有相同的六角晶体结构,其结晶学空间群同为“P6...
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发光材料、荧光材料
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《中国光学》2002年 第6期16卷 69-70页
O482.31 2002064456硅发光研究进展=Development of silicon lumines-cence[刊,中]/叶好华,叶志镇,黄靖云(浙江大学.浙江,杭州(310027))∥半导体光电.—2002,23(1).—4-7报道了通过不同的途径实现多孔硅、纳米硅、Si/SiO2超晶格...
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双波段红外HgCdTe焦平面列阵
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《红外》2004年 第5期25卷 39-44页
作者:顾聚兴 
本文综述法国原子能委员会LETI红外实验室在双波段红外焦平面列阵方面所做的研究工作。在工艺上,该实验室采用的是通过分子束外延法在品格匹配的高质量CdZnTe衬底上生长的HgCdTe多层掺杂异质结构。器件的结构是n+ppn,而且在空间上是相...
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