摘要：提出一种以SiGe HBT为有源器件的超宽带有源可调衰减器。在超宽频带内实现了宽增益调节范围和高线性度。详细分析了有源衰减器的最小插入损耗及最大衰减量,基于Jazz 0.35μm SiGe HBT工艺,通过选择合适的SiGe HBT有源器件,完成了超宽带有源可调衰减器的设计。利用安捷伦公司的ADS仿真软件,对设计的有源可调衰减器进行仿真验证。结果表明,在3.1～10.6GHz的超宽带内,当电压在0.4～1.8V的范围内变化时,该有源可调衰减器的增益动态范围大于50dB,S11在整个电压变化范围内均低于-10dB,且输入3阶交调点(IIP3)为13dBm。

摘要：采用MOS有源衰减器和Gilbert单元设计一种能扩展线性输入范围的集成CMOS四象限模拟乘法器的电路结构,对其电压传输特性进行了理论分析,对其直流、交流、瞬态特性进行了PSPICE程序模拟并提供了模拟结果。

摘要：本文介绍了一种带预处理电路的ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器，对其预处理电路（有源衰减器及电平位移电路）和乘法器核心电路的非线性误差作了详细的讨论．设计采用３微米Ｎ阱硅栅ＣＭＯＳ工艺，并给出了电路的ＳＰＩＣＥ模拟结果．当电源电压为±５Ｖ时，功耗小于６．５ｍＷ，线性输入电压范围约为±４Ｖ；当输入电压范围限于±３Ｖ内时，总谐波失真和非线性误差均小于０．３３％，－３ｄＢ带宽为１３．０ＭＨｚ和２．２ＭＨｚ；当输入电压范围限于±２Ｖ内时，总谐波失真小于０．１８％，具有良好的性能．

摘要：提出了一种结构简单、采用有源衰减器的低压ＣＭＯＳ四象限模拟乘法器。详细分析了电路的结构和设计原理，给出了电路的ＰＳＰＩＣＥ模拟结果。模拟结果表明，当电源电压为±１．５Ｖ时，功耗小于８０μＷ，线性输入电压范围约为±０．５Ｖ；当输入电压范围限于±０．３Ｖ时，非线性误差小于１．３％；－３ｄＢ带宽约为３．２ＭＨｚ。该乘法器电路可应用于低压模拟信号处理电路中。

摘要：设计和仿真了一种高线性度CMOS模拟乘法器。采用有源衰减器对输入信号进行预处理,CMOS Gilbert乘法单元对信号进行乘法运算,同时设计了偏置电路。在±1.8 V电源电压下,输入范围为±0.6 V时,通过优化器件参数,乘法器输出幅度小于±25 mV且具有高线性度。乘法器-3 dB带宽为181 MHz,有着良好的倍频特性。此外,对乘法器的温度特性进行了仿真,讨论了线性度与输出幅度之间的关系,优化设计了乘法器版图。在较宽输入范围内,本文乘法器线性度明显高于参考文献。

摘要：本文设计出一种CMOS工艺调幅电路,该电路具有线性输入范围宽、线性度高的特点。文中介绍了该电路的结构,分析了电路基本工作原理,并使用仿真软件Pspice给出了电路的模拟仿真结果。

摘要：设计了一种基于CMOS工艺设计的宽输入范围的Gilbert单元乘法器。通过在乘法器的输入端加入有源衰减器和电位平移电路,增大了乘法器的输入范围(±4 V)。该乘法器采用TSMC 0.35μm的CMOS工艺进行设计,并用HSpice仿真器对电路进行了仿真,得到了电源电压为±4 V,以及线性电压输入范围为±4 V时,非线性误差小于1.0%,乘法运算误差小于0.3%,x输入端的-3 dB带宽为470 MHz,y输入端的-3 dB带宽为4.20 GHz的良好结果,整个乘法器电路的功耗为2.82 mW。