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IGBT的du／dt有源门极控制技术的研究: 收藏
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引用; 《电力电子技术》2012年第6期46卷 36-38页; 作者：张国安张东霞姜永金董雅丽空军雷达学院信息对抗系湖北武汉430019; 为减小绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的开关损耗,正常工作时要求使其快速开通和关断。但在大电流或过流情况下,快速开通和关断会导致di/dt和du/dt过大。而较大的du_(oe)/dt会使IGBT误触发导通,使得IGBT控制失效。设计了一种能控制IGBT du/d...; 为减小绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的开关损耗,正常工作时要求使其快速开通和关断。但在大电流或过流情况下,快速开通和关断会导致di/dt和du/dt过大。而较大的du_(oe)/dt会使IGBT误触发导通,使得IGBT控制失效。设计了一种能控制IGBT du/dt的新型有源门极控制电路,并进行了分析。给出了仿真和实验结果,验证了新型有源门极控制电路的正确性。; 来源：详细信息评论

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